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IPI80N06S3L08AKSA1

更新时间： 2024-11-23 21:14:15

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	185K
描述
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, 3 PIN

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IPI80N06S3L08AKSA1 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.64	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	170 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (ID)：	80 A
最大漏源导通电阻：	0.0079 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-262AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPI80N06S3L08AKSA1 数据手册

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IPB80N06S3L-08

IPI80N06S3L-08, IPP80N06S3L-08

OptiMOS^®-T2 Power-Transistor

Product Summary

V_DS

7.6

_DS(on),max(SMD version)

mΩ

I _D

Features

• N-channel - Enhancement mode

PG-TO263-3-2

PG-TO262-3-1

PG-TO220-3-1

• Automotive AEC Q101 qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green product (RoHS compliant)

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Marking

IPB80N06S3L-08

IPI80N06S3L-08

IPP80N06S3L-08

PG-TO263-3-2

PG-TO262-3-1

PG-TO220-3-1

3N06L08

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

Continuous drain current¹⁾

I _D

T _C=25 °C, V_GS=10 V

T _C=100 °C,

_GS=10 V²⁾

Pulsed drain current²⁾

Avalanche energy, single pulse²⁾

I _D,pulse

E_AS

T _C=25 °C

I _D=40 A

320

240

I _AS

Avalanche current, single pulse

Gate source voltage³⁾

V_GS

±16

P_tot

T _C=25 °C

Power dissipation

105

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... +175

55/175/56

Rev. 1.1

page 1

2007-11-07

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPI80N06S4-05	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPI80N06S4-07	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPI80N06S407AKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0071ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPI80N06S407AKSA2	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0071ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPI80N06S4L-05	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPI80N06S4L05AKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPI80N06S4L05AKSA2	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPI80N06S4L-07	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPI80N08S2-07	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPI80N08S406AKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 80V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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