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IPG16N10S4L-61A

更新时间： 2023-12-06 20:13:11

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IPG16N10S4L-61A 数据手册

IPG16N10S4L-61A

10 Typ. Capacitances⁵⁾

9 Typ. gate threshold voltage

V _GS(th)= f(T _j); V _GS= V _DS

parameter: I _D

C = f(V _DS); V _GS= 0 V; f = 1 MHz

10³

2.5

Ciss

Coss

10²

10¹

10⁰

90µA

1.5

9µA

0.5

Crss

-60

-20

100

140

180

V_DS[V]

T_j[°C]

11 Typical forward diode characteristicis⁵⁾

12 Avalanche characteristics⁵⁾

I _{A S}= f(t _AV

I _F= f(V_SD)

)

parameter: T _j

parameter: T_j(start)

10²

100

25 °C

100 °C

10¹

150 °C

25 °C

175 °C

10⁰

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

100

1000

V_SD[V]

t_AV[µs]

Rev. 1.0

page 6

2014-06-30

1...3 4 567 8 9

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