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IPDH5N03LAGBUMA1

更新时间： 2024-02-25 01:12:57

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英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	408K
描述
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 25V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-252, 3 PIN

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IPDH5N03LAGBUMA1 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	225 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	25 V
最大漏极电流 (ID)：	50 A	最大漏源导通电阻：	0.0052 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	350 A	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPDH5N03LAGBUMA1 数据手册

IPDH5N03LA G IPSH5N03LA G

OptiMOS^®2 Power-Transistor

Product Summary

V _DS

Features

5.2

• Ideal for high-frequency dc/dc converters

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target application

_DS(on),max(SMD version)

mΩ

I _D

• N-channel, logic level

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Superior thermal resistance

• 175 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

Type

IPDH5N03LA

IPSH5N03LA

Package

Marking

P-TO252-3-11

H5N03LA

P-TO251-3-11

H5N03LA

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

T _C=25 °C²⁾

I _D

Continuous drain current

T _C=100 °C

T _C=25 °C³⁾

I _D,pulse

Pulsed drain current

350

225

E _AS

I _D=45 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

I _D=50 A, V _DS=20 V,

di /dt =200 A/µs,

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

_j,max=175 °C

Gate source voltage⁴⁾

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 175

55/175/56

Rev. 1.5

page 1

2008-04-14

12 3 4 5 6 7...10

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