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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 225 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 25 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 50 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0052 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 350 A | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPDH6N03LA | INFINEON |
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OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated |
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| IPDH6N03LA_08 | INFINEON |
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OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated |
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| IPDH6N03LAG | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPDH9N03LAG | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPDH9N03LAGBUMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 25V, 0.0092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPDQ60R007CM8 | INFINEON |
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The 600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFETs series is the successor to the 600 V CoolMOS? 7 MOSFET fam |
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| IPDQ60R010S7 | INFINEON |
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600V CoolMOS™ S7 超结 MOSFET 系列专为低导通损耗优化，具备高压超结 |
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| IPDQ60R010S7A | INFINEON |
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汽车级 600V CoolMOS™ S7A 超结 MOSFET 系列符合 AEC-Q101 |
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| IPDQ60R015CFD7 | INFINEON |
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The?600 V CoolMOS? CFD7?is Infineon’s latest |
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| IPDQ60R016CM8 | INFINEON |
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The 600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFETs series is the successor to the 600 V CoolMOS? 7 MOSFET fam |
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