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IPDQ60R010S7

更新时间： 2024-11-21 11:13:47

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		电池高压继电器断路器
页数	文件大小	规格书
14页	1242K
描述
600V CoolMOS™ S7 超结 MOSFET 系列专为低导通损耗优化，具备高压超结 MOSFET 市场领域中的较低 RDS(on)。该系列产品提供前所未有的 RDS(on) 与价格，品质因数出色，尤为适用于固态断路器与继电器、PLC、电池保护以及大功率电源中的有源桥式整流。

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IPDQ60R010S7 数据手册

IPDQ60R010S7

MOSFET

PG-HDSOP-22-1

600VꢀCoolMOSªꢀSJꢀS7ꢀPowerꢀDevice

IPDQ60R010S7ꢀenablesꢀtheꢀbestꢀpriceꢀperformanceꢀforꢀlowꢀfrequency

switchingꢀapplications.ꢀCoolMOS™ꢀS7ꢀboastsꢀtheꢀlowestꢀR_DS(on)ꢀvaluesꢀfor

aꢀHVꢀSJꢀMOSFET,ꢀwithꢀdistinctiveꢀincreaseꢀofꢀenergyꢀefficiency.

TAB

CoolMOS™ꢀS7ꢀisꢀoptimizedꢀforꢀ“staticꢀswitching”ꢀandꢀhighꢀcurrent

applications.ꢀItꢀisꢀanꢀidealꢀfitꢀforꢀsolidꢀstateꢀrelayꢀandꢀcircuitꢀbreakerꢀdesigns

asꢀwellꢀasꢀforꢀlineꢀrectificationꢀinꢀSMPSꢀandꢀinverterꢀtopologies.

Features

•ꢀCoolMOS™ꢀS7ꢀtechnologyꢀenablesꢀ10mΩꢀR_DS(on)ꢀinꢀtheꢀsmallestꢀfootprint

•ꢀOptimizedꢀpriceꢀperformanceꢀinꢀlowꢀfrequencyꢀswitchingꢀapplications

•ꢀHighꢀpulseꢀcurrentꢀcapability

Drain

Pin 12-22, Tab

•ꢀKelvinꢀSourceꢀpinꢀimprovesꢀswitchingꢀperformanceꢀatꢀhighꢀcurrent

•ꢀQDPAKꢀ(PG-HDSOP-22-1)ꢀoffersꢀtopꢀsideꢀcoolingꢀwithꢀimproved

packageꢀthermals

Gate

Pin 1

Driver

Source

Pin 2

Power

Source

Pin 3-11

Benefits

*1: Internal body diode

•ꢀMinimizedꢀconductionꢀlossesꢀ(eliminateꢀ/ꢀreduceꢀheatꢀsink)

•ꢀIncreasedꢀsystemꢀperformance

•ꢀMoreꢀcompactꢀandꢀeasierꢀdesign

•ꢀLowerꢀBOMꢀor/andꢀTCOꢀoverꢀprolongedꢀlifeꢀtime

Comparedꢀtoꢀelectromechanicalꢀdevices:

•ꢀFasterꢀswitchingꢀtimes

•ꢀHigherꢀreliabilityꢀandꢀlongerꢀsystemꢀlifeꢀtime

•ꢀShockꢀ&ꢀvibrationꢀresistance

•ꢀNoꢀcontactꢀarcing,ꢀbouncingꢀorꢀdegradationꢀoverꢀlifeꢀtime

Potentialꢀapplications

•ꢀSolidꢀstateꢀrelaysꢀandꢀcircuitꢀbreakers

•ꢀLineꢀrectificationꢀinꢀhighꢀpower/performanceꢀapplicationsꢀe.g.ꢀComputing,

Telecom,ꢀUPSꢀandꢀSolar

Productꢀvalidation

FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

Pleaseꢀnote:ꢀTheꢀsourceꢀandꢀsenseꢀsourceꢀpinsꢀareꢀnotꢀexchangeable.

Theirꢀexchangeꢀmightꢀleadꢀtoꢀmalfunction.ꢀForꢀparallelingꢀ4pinꢀMOSFET

devicesꢀtheꢀplacementꢀofꢀtheꢀgateꢀresistorꢀisꢀgenerallyꢀrecommendedꢀtoꢀbe

onꢀtheꢀDriverꢀSourceꢀinsteadꢀofꢀtheꢀGate.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

R_DS(on),max

Q_g,typ

Value

Unit

mΩ

318

0.82

801

V_SD

Pulsed I_SD, I_DS

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

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IPDQ60R010S7

PG-HDSOP-22

60R010S7

see Appendix A

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2021-10-25

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPDQ60R010S7A	INFINEON	获取价格	汽车级 600V CoolMOS™ S7A 超结 MOSFET 系列符合 AEC-Q101
IPDQ60R015CFD7	INFINEON	获取价格	The?600 V CoolMOS? CFD7?is Infineon’s latest
IPDQ60R016CM8	INFINEON	获取价格	The 600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFETs series is the successor to the 600 V CoolMOS? 7 MOSFET fam
IPDQ60R017S7	INFINEON	获取价格	The?600 V CoolMOS? S7 SJ MOSFET family?is optimized for low conduction losses and features
IPDQ60R017S7A	INFINEON	获取价格	The automotive qualified AEC-Q101, 600 V Cool
IPDQ60R020CFD7	INFINEON	获取价格	The?600 V CoolMOS? CFD7?is Infineon’s latest
IPDQ60R022S7	INFINEON	获取价格	在采用紧凑型 SMD 封装的高压超结 MOSFET 中，600V CoolMOS™ S7
IPDQ60R022S7A	INFINEON	获取价格	The automotive qualified AEC-Q101, 600 V CoolMOS? S7A SJ MOSFET?family is optimized to off
IPDQ60R025CFD7	INFINEON	获取价格	The?600 V CoolMOS? CFD7?is Infineon’s latest
IPDQ60R035CFD7	INFINEON	获取价格	The?600 V CoolMOS? CFD7?is Infineon’s latest

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