Datasheet > IPDQ60R037CM8

IPDQ60R037CM8

更新时间： 2024-09-25 17:15:55

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
14页	1205K
描述
The 600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFETs series is the successor to the 600 V CoolMOS? 7 MOSFET family including P7, S7, CFD7, C7 (G7) and PFD7.

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPDQ60R037CM8 数据手册

IPDQ60R037CM8

MOSFET

PG-HDSOP-22

600VꢀCoolMOSªꢀCM8ꢀPowerꢀTransistor

TheꢀCoolMOS™ꢀ8thꢀgenerationꢀplatformꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀfor

highꢀvoltageꢀpowerꢀMOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunction

(SJ)ꢀprincipleꢀandꢀpioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.ꢀTheꢀ600V

CoolMOS™ꢀCM8ꢀseriesꢀisꢀtheꢀsuccessorꢀtoꢀtheꢀCoolMOS™ꢀ7.

ItꢀcombinesꢀtheꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfastꢀswitchingꢀSJꢀMOSFETꢀwithꢀexcellent

easeꢀofꢀuse,ꢀe.gꢀlowꢀringingꢀtendency,ꢀimplementedꢀfastꢀbodyꢀdiodeꢀ(CFD)

forꢀallꢀproductsꢀwithꢀoutstandingꢀrobustnessꢀagainstꢀhardꢀcommutationꢀand

excellentꢀESDꢀcapability.ꢀFurthermore,ꢀextremelyꢀlowꢀswitchingꢀand

conductionꢀlossesꢀofꢀCM8,ꢀmakeꢀswitchingꢀapplicationsꢀevenꢀmore

efficient.

TAB

Drain

Pin 12-22, Tab

Features

•ꢀSuitableꢀforꢀhardꢀandꢀsoftꢀswitchingꢀtopologiesꢀthanksꢀtoꢀan

ꢀꢁꢀoutstandingꢀcommutationꢀruggedness

•ꢀSignificantꢀreductionꢀofꢀswitchingꢀandꢀconductionꢀlosses

•ꢀBestꢀinꢀclassꢀR_DS(on)ꢀperꢀpackageꢀproductsꢀenabledꢀbyꢀultraꢀlowꢀR_DS(on)*A

Gate

Pin 1

Driver

Source

Pin 2

Power

Source

Pin 3-11

Benefits

*1: Internal body diode

•ꢀEaseꢀofꢀuseꢀandꢀfastꢀdesign-inꢀthroughꢀlowꢀringingꢀtendencyꢀandꢀusage

ꢀꢁꢀacrossꢀPFCꢀandꢀPWMꢀstages

•ꢀSimplifiedꢀthermalꢀmanagementꢀthanksꢀtoꢀourꢀadvancedꢀdieꢀattach

ꢀꢁꢀtechnique

•ꢀIncreasedꢀpowerꢀdensityꢀsolutionsꢀenabledꢀbyꢀusingꢀproductsꢀwith

ꢀꢁꢀsmallerꢀfootprintꢀandꢀhigherꢀmanufacturingꢀqualityꢀdueꢀstateꢀofꢀtheꢀart

ꢀꢁꢀESDꢀprotection

•ꢀSuitableꢀforꢀaꢀwideꢀvarietyꢀofꢀapplicationsꢀandꢀpowerꢀranges

Potentialꢀapplications

•ꢀPowerꢀsuppliesꢀandꢀconverters

•ꢀPFCꢀstagesꢀ&ꢀLLCꢀresonantꢀconverters

•ꢀHighꢀefficiencyꢀswitchingꢀapplications

•ꢀe.g.ꢀServer,ꢀTelecom,ꢀEVꢀCharging,ꢀUPS

Productꢀvalidation

FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate

orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j,max

R_DS(on),max

Value

650

Unit

mΩ

Q_g,typ

I_D,pulse

230

10.6

1300

E_oss@ 400V

Body diode di_F/dt

ESD class (HBM)

µJ

A/µs

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

IPDQ60R037CM8

PG-HDSOP-22

60R037C8

see Appendix A

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2024-03-21

12 3 4 5 6 7...14

中文翻译

下载PDF

与IPDQ60R037CM8相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPDQ60R040S7	INFINEON	获取价格	在采用紧凑型 SMD 封装的高压超结 MOSFET 中，600V CoolMOS™ S7
IPDQ60R040S7A	INFINEON	获取价格	The automotive qualified AEC-Q101, 600 V Cool
IPDQ60R045CFD7	INFINEON	获取价格	The?600 V CoolMOS? CFD7?is Infineon’s latest
IPDQ60R055CFD7	INFINEON	获取价格	The?600 V CoolMOS? CFD7?is Infineon’s latest
IPDQ60R065S7	INFINEON	获取价格	在采用紧凑型 SMD 封装的高压超结 MOSFET 中，600V CoolMOS? S7
IPDQ65R017CFD7	INFINEON	获取价格	Infineon’s 650 V CoolMOS™ CFD7 superjunction
IPDQ65R017CFD7A	INFINEON	获取价格	采用 QDPAK 顶部冷却 SMD 封装的 17mΩ IPDQ65R017CFD7A 属于
IPDQ65R029CFD7	INFINEON	获取价格	Infineon’s 650 V CoolMOS™ CFD7 superjunction
IPDQ65R029CFD7A	INFINEON	获取价格	The 29m? IPDQ65R029CFD7A in QDPAK top side cooling SMD package is part of the automotive-q
IPDQ65R040CFD7	INFINEON	获取价格	Infineon’s 650 V CoolMOS™ CFD7 superjunction

与IPDQ60R037CM8相关文章

SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

5
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

10
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

79
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

71

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPDQ60R037CM8

IPDQ60R037CM8 数据手册

与IPDQ60R037CM8相关器件

与IPDQ60R037CM8相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPDQ60R037CM8

IPDQ60R037CM8 数据手册

与IPDQ60R037CM8相关器件

与IPDQ60R037CM8相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？