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IPDQ60R040S7

更新时间： 2023-09-03 20:39:22

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英飞凌 - INFINEON		电池高压继电器断路器
页数	文件大小	规格书
14页	1280K
描述
在采用紧凑型 SMD 封装的高压超结 MOSFET 中，600V CoolMOS™ S7 超结 MOSFET 系列针对低导通损耗作了优化，具有市场上最低的 RDS(on)。其 RDS(on) x 价格品质因数前所未有，完美契合大功率电源中的固态断路器和继电器、PLC、电池保护及有源桥式整流。顶部冷却可最大限度地降低导通损耗，同时最大限度地提高功率密度，冷却方式采用最高效的 SMD 冷却。

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IPDQ60R040S7 数据手册

IPDQ60R040S7

MOSFET

PG-HDSOP-22-1

600VꢀCoolMOSªꢀSJꢀS7ꢀPowerꢀDevice

IPDQ60R040S7ꢀenablesꢀtheꢀbestꢀpriceꢀperformanceꢀforꢀlowꢀfrequency

switchingꢀapplications.ꢀCoolMOS™ꢀS7ꢀboastsꢀtheꢀlowestꢀR_DS(on)ꢀvaluesꢀfor

aꢀHVꢀSJꢀMOSFET,ꢀwithꢀdistinctiveꢀincreaseꢀofꢀenergyꢀefficiency.

TAB

CoolMOS™ꢀS7ꢀisꢀoptimizedꢀforꢀ“staticꢀswitching”ꢀandꢀhighꢀcurrent

applications.ꢀItꢀisꢀanꢀidealꢀfitꢀforꢀsolidꢀstateꢀrelayꢀandꢀcircuitꢀbreakerꢀdesigns

asꢀwellꢀasꢀforꢀlineꢀrectificationꢀinꢀSMPSꢀandꢀinverterꢀtopologies.

Features

•ꢀCoolMOS™ꢀS7ꢀtechnologyꢀenablesꢀ40mΩꢀR_DS(on)ꢀinꢀtheꢀsmallestꢀfootprint

•ꢀOptimizedꢀpriceꢀperformanceꢀinꢀlowꢀfrequencyꢀswitchingꢀapplications

•ꢀHighꢀpulseꢀcurrentꢀcapability

Drain

Pin 12-22, Tab

•ꢀKelvinꢀSourceꢀpinꢀimprovesꢀswitchingꢀperformanceꢀatꢀhighꢀcurrent

•ꢀQDPAKꢀ(PG-HDSOP-22-1)ꢀoffersꢀtopꢀsideꢀcoolingꢀwithꢀimproved

packageꢀthermals

Gate

Pin 1

Driver

Source

Pin 2

Power

Source

Pin 3-11

Benefits

*1: Internal body diode

•ꢀMinimizedꢀconductionꢀlossesꢀ(eliminateꢀ/ꢀreduceꢀheatꢀsink)

•ꢀIncreasedꢀsystemꢀperformance

•ꢀMoreꢀcompactꢀandꢀeasierꢀdesign

•ꢀLowerꢀBOMꢀor/andꢀTCOꢀoverꢀprolongedꢀlifeꢀtime

Comparedꢀtoꢀelectromechanicalꢀdevices:

•ꢀFasterꢀswitchingꢀtimes

•ꢀHigherꢀreliabilityꢀandꢀlongerꢀsystemꢀlifeꢀtime

•ꢀShockꢀ&ꢀvibrationꢀresistance

•ꢀNoꢀcontactꢀarcing,ꢀbouncingꢀorꢀdegradationꢀoverꢀlifeꢀtime

Potentialꢀapplications

•ꢀSolidꢀstateꢀrelaysꢀandꢀcircuitꢀbreakers

•ꢀLineꢀrectificationꢀinꢀhighꢀpower/performanceꢀapplicationsꢀe.g.ꢀComputing,

Telecom,ꢀUPSꢀandꢀSolar

Productꢀvalidation

FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

Pleaseꢀnote:ꢀTheꢀsourceꢀandꢀsenseꢀsourceꢀpinsꢀareꢀnotꢀexchangeable.

Theirꢀexchangeꢀmightꢀleadꢀtoꢀmalfunction.ꢀForꢀparallelingꢀ4pinꢀMOSFET

devicesꢀtheꢀplacementꢀofꢀtheꢀgateꢀresistorꢀisꢀgenerallyꢀrecommendedꢀtoꢀbe

onꢀtheꢀDriverꢀSourceꢀinsteadꢀofꢀtheꢀGate.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

R_DS(on),max

Q_g,typ

Value

Unit

mΩ

V_SD

0.82

207

Pulsed I_SD, I_DS

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

IPDQ60R040S7

PG-HDSOP-22

60R040S7

see Appendix A

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2021-08-20

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IPDQ60R040S7A	INFINEON	The automotive qualified AEC-Q101, 600 V Cool	获取价格
IPDQ60R045CFD7	INFINEON	The?600 V CoolMOS? CFD7?is Infineon’s latest	获取价格
IPDQ60R055CFD7	INFINEON	The?600 V CoolMOS? CFD7?is Infineon’s latest	获取价格
IPDQ60R065S7	INFINEON	在采用紧凑型 SMD 封装的高压超结 MOSFET 中，600V CoolMOS? S7	获取价格
IPDQ65R017CFD7	INFINEON	Infineon’s 650 V CoolMOS™ CFD7 superjunction	获取价格
IPDQ65R017CFD7A	INFINEON	采用 QDPAK 顶部冷却 SMD 封装的 17mΩ IPDQ65R017CFD7A 属于	获取价格

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