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| IPDH4N03LA | INFINEON |
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OPTIMOS 2 POWER - TRANSISTOR |
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| IPDH4N03LAG | INFINEON |
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OPTIMOS 2 POWER - TRANSISTOR |
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| IPDH4N03LA-G | INFINEON |
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OPTIMOS 2 POWER - TRANSISTOR |
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| IPDH5N03LA | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPDH5N03LAG | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPDH5N03LAGBUMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 25V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPDH6N03LA | INFINEON |
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OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated |
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| IPDH6N03LA_08 | INFINEON |
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OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated |
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| IPDH6N03LAG | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPDH9N03LAG | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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