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IPA028N04NM3SXKSA1

更新时间: 2024-11-09 18:00:15
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
10页 1031K
描述
Power Field-Effect Transistor,

IPA028N04NM3SXKSA1 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:,Reach Compliance Code:compliant
Factory Lead Time:18 weeks风险等级:5.74
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

IPA028N04NM3SXKSA1 数据手册

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IPA028N04NM3S  
MOSFET  
OptiMOSTMꢀ3ꢀPower-Transistor,ꢀ40ꢀV  
PG-TOꢀ220ꢀFP  
Features  
•ꢀIdealꢀforꢀhighꢀfrequencyꢀswitchingꢀandꢀsync.ꢀrec.  
•ꢀExcellentꢀgateꢀchargeꢀxꢀRDS(on)ꢀproductꢀ(FOM)  
•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀꢀRDS(on)  
•ꢀN-channel,ꢀnormalꢀlevel  
•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested  
•ꢀPb-freeꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant  
•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21  
Productꢀvalidation  
QualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀStandard  
Drain  
Pin 2  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Gate  
Pin 1  
Parameter  
Value  
Unit  
Source  
Pin 3  
VDS  
40  
V
RDS(on),max  
ID  
2.8  
89  
m  
A
Qoss  
73  
nC  
nC  
QG(0V..10V)  
90  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
PG-TO 220 FullPAK  
Marking  
RelatedꢀLinks  
IPA028N04NM3S  
028N043S  
-
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2019-09-02  

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