型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IMBD4448-V_12 | VISHAY |
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Small Signal Switching Diode | |
IMBD4448-V-G-08 | VISHAY |
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Rectifier Diode | |
IMBD4448-V-G-18 | VISHAY |
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Rectifier Diode | |
IMBD4448-V-GS08 | VISHAY |
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Small Signal Switching Diode | |
IMBD4448-V-GS18 | VISHAY |
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Small Signal Switching Diode | |
IMBF170R1K0M1 | INFINEON |
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CoolSiC™ 1700 V, 1000 mΩ SiC MOSFET采用TO-263-7 | |
IMBF170R450M1 | INFINEON |
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CoolSiC™ 1700 V, 450 mΩ SiC MOSFET采用TO-263-7增 | |
IMBF170R650M1 | INFINEON |
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CoolSiC™ 1700 V, 650 mΩ SiC MOSFET采用TO-263-7增 | |
IMBG120R008M2H | INFINEON |
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这款第二代1200 V、8 mΩ CoolSiC? MOSFET采用D2PAK-7L(TO | |
IMBG120R012M2H | INFINEON |
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这款第二代1200 V、12 mΩ?CoolSiC? MOSFET采用D2PAK-7L(T |