型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IMBG120R026M2H | INFINEON |
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这款第二代1200 V、26 mΩ?CoolSiC? MOSFET采用D2PAK-7L(T | |
IMBG120R030M1H | INFINEON |
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是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封装的1200 V, 30 mΩ CoolSi | |
IMBG120R040M2H | INFINEON |
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这款第二代1200 V、40 mΩ?CoolSiC? MOSFET采用D2PAK-7L(T | |
IMBG120R045M1H | INFINEON |
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是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封装的1200 V, 45 mΩ CoolSi | |
IMBG120R053M2H | INFINEON |
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这款第二代1200 V、53 mΩ?CoolSiC? MOSFET采用D2PAK-7L(T | |
IMBG120R060M1H | INFINEON |
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是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封装的1200 V, 60?mΩ?CoolSi | |
IMBG120R078M2H | INFINEON |
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这款第二代1200 V、78 mΩ?CoolSiC? MOSFET采用D2PAK-7L(T | |
IMBG120R090M1H | INFINEON |
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是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封装的1200 V, 90 mΩ CoolSi | |
IMBG120R116M2H | INFINEON |
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这款第二代1200 V、116 mΩ?CoolSiC? MOSFET采用D2PAK-7L( | |
IMBG120R140M1H | INFINEON |
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是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封装的1200 V, 140 mΩ CoolS |