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IMBG65R022M1H

更新时间： 2024-11-26 11:14:19

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英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
15页	1588K
描述
CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了器件性能、稳健性和易用性等独特优势。IMBG65R022M1H CoolSiC™ MOSFET 650 VSiC MOSFET 采用紧凑型 7 引脚 SMD 封装，基于先进的英飞凌碳化硅沟槽技术，适于大功率应用。该器件旨在提高系统性能，缩减尺寸，增强可靠性。

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IMBG65R022M1H 数据手册

IMBG65R022M1H

MOSFET

PG-TO263-7-12

650ꢀVꢀCoolSiCªꢀM1ꢀSiCꢀTrenchꢀPowerꢀDevice

Theꢀ650ꢀVꢀCoolSiC™ꢀisꢀbuiltꢀoverꢀtheꢀsolidꢀsiliconꢀcarbideꢀtechnology

developedꢀinꢀInfineonꢀinꢀmoreꢀthanꢀ20ꢀyears.ꢀLeveragingꢀtheꢀwideꢀbandgap

SiCꢀmaterialꢀcharacteristics,ꢀtheꢀ650VꢀCoolSiC™ꢀMOSFETꢀoffersꢀaꢀunique

combinationꢀofꢀperformance,ꢀreliabilityꢀandꢀeaseꢀofꢀuse.ꢀSuitableꢀforꢀhigh

temperatureꢀandꢀharshꢀoperations,ꢀitꢀenablesꢀtheꢀsimplifiedꢀandꢀcost

effectiveꢀdeploymentꢀofꢀtheꢀhighestꢀsystemꢀefficiency.

Tab

Features

•ꢀOptimizedꢀswitchingꢀbehaviorꢀatꢀhigherꢀcurrents

•ꢀCommutationꢀrobustꢀfastꢀbodyꢀdiodeꢀwithꢀlowꢀQ_f

•ꢀSuperiorꢀgateꢀoxideꢀreliability

•ꢀT_j,max=175°Cꢀandꢀexcellentꢀthermalꢀbehavior

•ꢀLowerꢀR_DS(on)ꢀandꢀpulseꢀcurrentꢀdependencyꢀonꢀtemperature

•ꢀIncreasedꢀavalancheꢀcapability

Drain

Tab

•ꢀCompatibleꢀwithꢀstandardꢀdriversꢀ(recommendedꢀdrivingꢀvoltage:ꢀ0V-18V)

•ꢀKelvinꢀsourceꢀprovidesꢀupꢀtoꢀ4ꢀtimesꢀlowerꢀswitchingꢀlosses

Gate

Pin 1

Driver

Source

Pin 2

Power

Source

Pin 3-7

Benefits

*1: Internal body diode

•ꢀUniqueꢀcombinationꢀofꢀhighꢀperformance,ꢀhighꢀreliabilityꢀandꢀeaseꢀofꢀuse

•ꢀEaseꢀofꢀuseꢀandꢀintegration

•ꢀSuitableꢀforꢀtopologiesꢀwithꢀcontinuousꢀhardꢀcommutation

•ꢀHigherꢀrobustnessꢀandꢀsystemꢀreliability

•ꢀEfficiencyꢀimprovement

•ꢀReducedꢀsystemꢀsizeꢀleadingꢀtoꢀhigherꢀpowerꢀdensity

Potentialꢀapplications

•ꢀTelecomꢀandꢀServerꢀSMPS

•ꢀUPSꢀ(uninterruptableꢀpowerꢀsupplies)

•ꢀSolarꢀPVꢀinverters

•ꢀEVꢀchargingꢀinfrastructure

•ꢀEnergyꢀstorageꢀandꢀbatteryꢀformation

•ꢀClassꢀDꢀamplifiers

Productꢀvalidation

FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

Pleaseꢀnote:ꢀTheꢀsourceꢀandꢀsenseꢀsourceꢀpinsꢀareꢀnotꢀexchangeable.

Theirꢀexchangeꢀmightꢀleadꢀtoꢀmalfunction.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DSꢀ@ꢀT_Jꢀ=ꢀ25ꢀ°C

R_DS(on),typ

Value

650

Unit

mΩ

R_DS(on),max

Q_G,typ

I_DM

194

158

23.8

Q_ossꢀ@ꢀ400ꢀV

E_ossꢀ@ꢀ400ꢀV

µJ

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

65R022M1

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IMBG65R022M1H

PG-TO263-7-12

see Appendix A

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2021-12-10

12 3 4 5 6 7...15

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IMBG65R030M1H	INFINEON	获取价格	CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了器件性
IMBG65R039M1H	INFINEON	获取价格	CoolSiC? MOSFET 技术通过最大限度发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了器件性
IMBG65R040M2H	INFINEON	获取价格	The CoolSiC? MOSFET 650 V, 40 mΩ G2 in a D2PA
IMBG65R048M1H	INFINEON	获取价格	CoolSiC? MOSFET 技术通过最大限度发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了器件性
IMBG65R050M2H	INFINEON	获取价格	The CoolSiC? MOSFET 650 V, 50 mΩ G2 in a D2PA
IMBG65R057M1H	INFINEON	获取价格	CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了器件性
IMBG65R072M1H	INFINEON	获取价格	CoolSiC? MOSFET 技术通过最大限度发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了器件性
IMBG65R083M1H	INFINEON	获取价格	CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了器件性
IMBG65R107M1H	INFINEON	获取价格	CoolSiC? MOSFET 技术通过最大限度发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了器件性
IMBG65R163M1H	INFINEON	获取价格	CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了器件性

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