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IMBD4448-V-G-18

更新时间： 2024-11-25 14:51:31

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威世 - VISHAY		二极管
页数	文件大小	规格书
5页	95K
描述
Rectifier Diode

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IMBD4448-V-G-18 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.21	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
峰值回流温度（摄氏度）：	260	端子面层：	MATTE TIN
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

IMBD4448-V-G-18 数据手册

IMBD4448-V-G

Vishay Semiconductors

www.vishay.com

Small Signal Switching Diode

FEATURES

• Silicon epitaxial planar diode

• Fast switching diode in case SOT-23, especially

suited for automatic insertion.

• AEC-Q101 qualified

• Material categorization:

For definitions of compliance please see

www.vishay.com/doc?99912

MECHANICAL DATA

Case: SOT-23

Weight: approx. 8.1 mg

Packaging codes/options:

18/10K per 13" reel (8 mm tape), 10K/box

08/3K per 7" reel (8 mm tape), 15K/box

PARTS TABLE

PART

ORDERING CODE

TYPE MARKING

INTERNAL CONSTRUCTION

REMARKS

IMBD4448-V-G

IMBD4448-V-G-18 or IMBD4448-V-G-08

Single diode

Tape and reel

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_amb= 25 °C, unless otherwise specified)

PARAMETER

TEST CONDITION

SYMBOL

VALUE

UNIT

Reverse voltage

Peak reverse voltage

V_R

V_RM

100

Rectified current (average) half wave

rectification with resistive load ⁽¹⁾

f  50 Hz

I_F(AV)

150

Surge forward current

Power dissipation ⁽¹⁾

t < 1 s and T_j= 25 °C

I_FSM

P_tot

500

350

THERMAL CHARACTERISTICS (T_amb= 25 °C, unless otherwise specified)

PARAMETER

Thermal resistance junction to ambient air ⁽¹⁾

TEST CONDITION

SYMBOL

R_thJA

T_j

VALUE

450

UNIT

K/W

°C

Junction temperature

150

Storage temperature range

T_stg

- 65 to + 150

°C

Note

(1)

Device on fiberglass substrate, see layout (SOT-23).

Rev. 1.0, 07-Dec-12

Document Number: 85883

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IMBD4448-V-GS08	VISHAY	获取价格	Small Signal Switching Diode
IMBD4448-V-GS18	VISHAY	获取价格	Small Signal Switching Diode
IMBF170R1K0M1	INFINEON	获取价格	CoolSiC™ 1700 V, 1000 mΩ SiC MOSFET采用TO-263-7
IMBF170R450M1	INFINEON	获取价格	CoolSiC™ 1700 V, 450 mΩ SiC MOSFET采用TO-263-7增
IMBF170R650M1	INFINEON	获取价格	CoolSiC™ 1700 V, 650 mΩ SiC MOSFET采用TO-263-7增
IMBG120R008M2H	INFINEON	获取价格	这款第二代1200 V、8 mΩ CoolSiC? MOSFET采用D2PAK-7L（TO
IMBG120R012M2H	INFINEON	获取价格	这款第二代1200 V、12 mΩ?CoolSiC? MOSFET采用D2PAK-7L（T
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