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IMBD4148-GS08

更新时间： 2024-11-01 14:51:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 101K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM),

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IMBD4148-GS08 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.8
配置：SINGLE二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：0.5 A元件数量：1
最高工作温度：150 °C最大输出电流：0.15 A
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向恢复时间：0.004 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)Base Number Matches：1

IMBD4148-GS08 数据手册

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IMBD4148  
Vishay Semiconductors  
VISHAY  
Small Signal Switching Diode  
Features  
• Silicon Epitaxial Planar Diodes  
3
• Fast switching diode in case SOT-23, especially  
suited for automatic insertion.  
• This diodes are also available in other case styles  
including: the DO-35 case with the type designa-  
tion 1N4148, the Mini-MELF case with the type  
designation LL4148, and the SOD-123 case with  
the type designation 1N4148W.  
1
2
16923  
Mechanical Data  
Case: SOT-23 Plastic case  
Weight: approx. 8.8 mg  
Packaging Codes/Options:  
GS18 / 10 k per 13" reel (8 mm tape), 10 k/box  
GS08 / 3 k per 7" reel (8 mm tape), 15 k/box  
Parts Table  
Part  
Ordering code  
Marking  
Remarks  
IMBD4148  
IMBD4148-GS18 or IMBD4148-GS08  
A2  
Tape and Reel  
Absolute Maximum Ratings  
T
= 25 °C, unless otherwise specified  
amb  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
Value  
75  
Unit  
Reverse voltage  
V
V
V
R
Peak reverse voltage  
V
100  
RM  
1)  
Rectified current (average) half  
wave rectification with resist.  
T
= 25 °C, ≥ f ≥ 50 Hz  
I
mA  
amb  
F(AV)  
150  
Surge forward current  
Power dissipation  
t < 1 s, T = 25 °C  
I
500  
mA  
j
FSM  
1)  
up to T  
= 25 °C  
P
mW  
amb  
tot  
350  
1)  
Device on fiberglass substrate, see layout (SOT-23).  
Thermal Characteristics  
T
= 25 °C, unless otherwise specified  
amb  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
Value  
Unit  
1)  
Thermal resistance junction to  
ambient air  
R
°C/W  
thJA  
450  
Junction temperature  
T
150  
°C  
°C  
j
Storage temperature range  
T
- 65 to + 150  
S
1)  
Device on fiberglass substrate, see layout (SOT-23).  
Document Number 85731  
Rev. 1.4, 08-Jul-04  
www.vishay.com  
1
12345

中文翻译

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IMBD4148-GS08 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IMBD4148-V-GS08 VISHAY

完全替代

 Small Signal Switching Diode
MMBD4148 ONSEMI

类似代替

 高导通，超快二极管
MMBD4148 NEXPERIA

功能相似

 High-speed switching diodeProduction

与IMBD4148-GS08相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IMBD4148-GS18 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM),
IMBD4148-HE3-08 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
IMBD4148-HE3-18 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
IMBD4148-V VISHAY

获取价格

 		Small Signal Switching Diode
IMBD4148-V_12 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Switching Diode
IMBD4148-V-G-08 VISHAY

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 		Rectifier Diode
IMBD4148-V-GS08 VISHAY

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 		Small Signal Switching Diode
IMBD4148-V-GS18 VISHAY

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 		Small Signal Switching Diode
IMBD4448 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Diodes
IMBD4448/E8 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 75V V(RRM), Silicon, TO-236AB

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