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MMBD4148 PDF预览

MMBD4148

更新时间： 2023-09-03 20:33:22
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
7页 204K
描述
高导通，超快二极管

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MMBD4148 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.82二极管类型：RECTIFIER DIODE
湿度敏感等级：1峰值回流温度（摄氏度）：260
处于峰值回流温度下的最长时间：10

MMBD4148 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
Small Signal Diode  
3
1
MMBD4148SE,  
MMBD4148CC,  
MMBD4148CA  
2
SOT−23 (TO−236)  
CASE 318−08  
Features  
• These are Pb−Free Devices  
MARKING DIAGRAM  
DxM G  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
G
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
1
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
Average Rectified Forward Current  
V
100  
V
RRM  
Dx = Device Code  
I
200  
mA  
A
F(AV)  
x = 4, 5, 6  
M
= Assembly Operation Month  
Non−Repetitive Peak Forward  
Surge Current  
I
FSM  
G
= Pb−Free Package  
Pulse Width = 1.0 s  
Pulse Width = 1.0 ms  
1.0  
2.0  
(Note: Microdot may be in either location)  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
T
−55 to +150  
−55 to +150  
°C  
°C  
J
T
STG  
CONNECTION DIAGRAMS  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
THERMAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Power Dissipation  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Symbol  
Value  
Unit  
P
D
350  
mW  
R
q
JA  
357  
°C/W  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol Min  
Typ  
Max  
Unit  
Breakdown Voltage  
V
R
V
I
R
I
R
= 5.0 mA  
75  
100  
−
−
−
−
= 100 mA  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 4  
of this data sheet.  
Forward Voltage  
V
F
V
I = 10 mA  
−
−
1.0  
F
Reverse Leakage Current  
I
R
V
R
V
R
V
R
= 20 V  
−
−
−
−
−
−
25  
50  
5.0  
nA  
mA  
mA  
= 20 V, T = 150°C  
A
= 75 V  
Total Capacitance  
= 0 V, f = 1.0 MHz  
C
pF  
T
V
R
−
−
−
−
4.0  
4.0  
Reverse Recovery Time  
t
rr  
ns  
I = 10 mA, V = 6.0 V,  
F
RR  
R
I
= 1.0 mA, R = 100 W  
L
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for  
the listed test conditions, unless otherwise noted. Product performance may not  
be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC,2004  
1
Publication Order Number:  
February, 2022 − Rev. 3  
MMBD4148SE/D  
1234567

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MMBD4148 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IMBD4148-GS08 VISHAY

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