5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SC-74 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.75 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | DIGITAL |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | BIP General Purpose Small Signal | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz | VCEsat-Max： | 0.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IMB3AT110 | ROHM |
类似代替  |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SMT6, S |
|
| DDA114TK-7-F | DIODES |
功能相似 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ROHS CO |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IMB-4D-20 | MERRIMAC |
获取价格 |
IMAGE REJECT MIXERS |
|
| IMB-4D-300 | MERRIMAC |
获取价格 |
IMAGE REJECT MIXERS |
|
| IMB-4D-XXX/ | MERRIMAC |
获取价格 |
Image Rejection Mixer, 9dB Conversion Loss-Max |
|
| IMB5 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | SO |
|
| IMB5A | ROHM |
获取价格 |
General purpose (dual digital transistors) |
|
| IMB5AT108 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, |
|
| IMB5AT109 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, |
|
| IMB5AT110 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SMT6, |
|
| IMB6 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | SO |
|
| IMB6A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SO |
|
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
解读L9904TR手册资料：产品概述、主要功能、电气参数
芯片底部填充工艺：提升电子设备可靠性的关键步骤
REF03GPZ资料解读：主要特征、技术参数、应用场景
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
