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IMB7AT108

更新时间： 2024-09-09 19:44:39

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	43K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon,

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IMB7AT108 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.72
其他特性：	DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e2	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	VCEsat-Max：	0.3 V
Base Number Matches：	1

IMB7AT108 数据手册

IMB7A

Transistors

General purpose (dual digital transistors)

IMB7A

zExternal dimensions (Unit : mm)

zFeatures

1) Two DTA143T chips in a SMT package.

zCircuit diagram

1.6

2.8

0.3to0.6

ROHM : SMT6

EIAJ : SC-74

Each lead has same dimensions

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

Limits

−50

Unit

VCBO

VCEO

VEBO

−50

−5

−100

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

300(TOTAL)

150

Storage temperature

Tstg

−55 to +150

200mW per element must not be exceeded.

zPackage, marking, and packaging specifications

Type

IMB7A

SMT6

Package

Marking

Code

T108

3000

Basic ordering unit (pieces)

Rev.A

1/2

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IMB7AT110	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SC-74,
IMB8	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| SO
IMB8A	ROHM	获取价格	General purpose (dual digital transistors)
IMB8AT108	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SC-74,
IMB8AT109	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
IMB8AT110	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
IMB9	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 70MA I(C) \| SO
IMB9A	ROHM	获取价格	General purpose dual digital transistors
IMB9AT108	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon,
IMB9AT109	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon,