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IMB7AT110

更新时间： 2024-11-25 14:00:11
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 45K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SC-74, 6 PIN

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IMB7AT110 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-74
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.75
其他特性：DIGITAL最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IMB7AT110 数据手册

  
IMB7A  
Transistors  
General purpose (dual digital transistors)  
IMB7A  
!Features  
!External dimensions (Units : mm)  
1) Two DTA143T chips in a SMT package.  
!Circuit diagram  
R1  
1.6  
2.8  
R1  
0.3to0.6  
Each lead has same dimensions  
ROHM : SMT6  
EIAJ : SC-74  
!Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
−50  
−50  
−5  
−100  
300(TOTAL)  
150  
V
V
I
C
mA  
mW  
°C  
°C  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
Pc  
Tj  
∗
Tstg  
−55~+150  
200mW per element must not be exceeded.  
∗
!Package, marking, and packaging specifications  
Type  
Package  
IMB7A  
SMT6  
B7  
Marking  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
T110  
3000  
!Electrical characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
Symbol  
Min.  
−50  
−50  
−5  
−
−
Typ.  
−
−
−
−
Max.  
−
−
Unit  
V
Conditions  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
I
I
I
C
=−50µA  
=−1mA  
V
C
−
V
E
=−50µA  
CB=−50V  
EB=−4V  
I
CBO  
EBO  
FE  
CE(sat)  
−0.5  
−0.5  
600  
−0.3  
6.11  
µA  
µA  
−
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
−
250  
h
100  
DC current transfer ratio  
CE/I  
/I  
C=−5V/−1mA  
=−5mA /−0.25mA  
V
−
3.29  
−
4.7  
V
Collector-emitter saturation voltage  
Input resistance  
I
C
B
R1  
kΩ  
−
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IMB8 ETC

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 		TRANSISTOR | SO
IMB8A ROHM

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 		General purpose (dual digital transistors)
IMB8AT108 ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SC-74,
IMB8AT109 ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
IMB8AT110 ROHM

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