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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> IMB9A
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IMB9A

更新时间： 2024-09-08 22:33:47
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体小信号双极晶体管数字晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 70K
描述
General purpose dual digital transistors

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IMB9A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.78Is Samacsys：N
其他特性：DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC)：0.07 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：68JESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e2元件数量：2
端子数量：6封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子面层：Tin/Copper (Sn/Cu)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IMB9A 数据手册

 浏览型号IMB9A的Datasheet PDF文件第2页 
EMB9 / UMB9N / IMB9A  
Transistors  
General purpose  
(dual digital transistors)  
EMB9 / UMB9N / IMB9A  
!Features  
!External dimensions (Units : mm)  
1) Two DTA144Ys in a EMT or UMT or SMT package.  
2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3  
automatic mounting machines.  
3) Transistor elements are independent, eliminating  
interference.  
EMB9  
( )  
3
( )  
2
( )  
1
( )  
4
( )  
5
( )  
6
1.2  
1.6  
4) Mounting cost and area can be cut in half.  
Each lead has same dimensions  
ROHM : EMT6  
UMB9N  
Abbreviated symbol : B9  
!Structure  
Epitaxial planar type  
PNP silicon transistor (Built-in resistor type)  
1.25  
2.1  
The following characteristics apply to both DTr1 and  
DTr2.  
0.1Min.  
Each lead has same dimensions  
ROHM : UMT6  
EIAJ : SC-88  
!Equivalent circuit  
Abbreviated symbol : B9  
EMB9 / UMB9N  
IMB9A  
IMB9A  
(4) (5) (6)  
R
(3) (2) (1)  
R
1
R2  
1
R2  
DTr  
1
DTr1  
DTr2  
DTr2  
R
1
=10kΩ  
=47kΩ  
R
1
=10kΩ  
=47kΩ  
1.6  
2.8  
R
2
R2  
R
1
R
2
R2  
R
1
(3) (2) (1)  
(4) (5) (6)  
0.3to0.6  
Each lead has same dimensions  
ROHM : SMT6  
EIAJ : SC-74  
!Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Limits  
Parameter  
Symbol  
Unit  
V
Abbreviated symbol : B9  
Supply voltage  
V
CC  
−50  
−40  
6
Input voltage  
VIN  
V
I
O
−70  
−100  
Output current  
mA  
mW  
I
C (Max.)  
1
∗
2
∗
EMB9, UMB9N  
150 (TOTAL)  
300 (TOTAL)  
150  
Power  
Pd  
dissipation  
IMB9A  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
˚C  
˚C  
Tstg  
−55∼+150  
1 120mW per element must not be exceeded.  
2 200mW per element must not be exceeded.  
∗
∗
12

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与IMB9A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IMB9AT108 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon,
IMB9AT109 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon,
IMB9AT110 ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SC-74,
IMBA-880 AAEON

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 		Intel® Core™ 2 Duo/ Pentium® 4/ Celeron®
IMBA-910 AAEON

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 		ATX Industrial Motherboard with Intel 2nd/3rd Generation Core i7/ i5/ i3/ Pentium Processo
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