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IMB8AT108 PDF预览

IMB8AT108

更新时间： 2024-09-09 14:30:03
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 65K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SC-74, 6 PIN

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IMB8AT108 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-74
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.84
Is Samacsys：N其他特性：DIGITAL
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzVCEsat-Max：0.3 V
Base Number Matches：1

IMB8AT108 数据手册

 浏览型号IMB8AT108的Datasheet PDF文件第2页 
EMA4 / UMA4N / EMB4 / UMB4N / UMB8N /  
FMA4A / IMB4A / IMB8A  
Transistors  
General purpose (dual digital transistors)  
EMA4 / UMA4N / EMB4 / UMB4N / UMB8N /  
FMA4A / IMB4A / IMB8A  
!Features  
1) Two DTA114T chips in a EMT or UMT or SMT package.  
!Equivalent circuit  
EMA4 / UMA4N  
FMA4A  
(3)  
EMB4 / UMB4N  
IMB4A  
UMB8N  
(3)  
IMB8A  
(4)  
(3)  
(2)  
(1)  
(4)  
(5)  
(6)  
(2)  
(1)  
(5)  
(6)  
(1)  
(4)  
(5)  
(3)  
(2)  
R1  
R1  
R1  
R1  
R1  
R1  
R1  
R1  
R1  
R1  
R1  
R1  
(2)  
(4)  
(5)  
(1)  
(3) (2) (1)  
(5) (6)  
(4)  
(4)  
(5)  
(6)  
(3)  
(2)  
(1)  
!Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
−50  
−50  
−5  
V
V
Collector current  
I
C
−100  
mA  
∗1  
∗2  
EMA4 / UMA4N / EMB4 / UMB4N / UMB8N  
Power  
150(TOTAL)  
300(TOTAL)  
150  
Pd  
mW  
dissipation  
FMA4A / IMB4A / IMB8A  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
°C  
°C  
Tstg  
−55~+150  
∗1 120mW per element must not be exceeded.  
∗2 200mW per element must not be exceeded.  
!Electrical characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
Symbol  
Min.  
−50  
−50  
−5  
−
Typ.  
Max.  
−
−
Conditions  
Unit  
V
BVCBO  
−
−
I
I
I
C
=−50µA  
=−1mA  
BVCEO  
BVEBO  
V
C
−
−
−
−
V
E
=−50µA  
CB=−50V  
EB=−4V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−0.5  
−0.5  
−0.3  
600  
−
µA  
µA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
−
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
V
−
100  
−
−
I
C
/I  
CE=−5V, I  
CE=−10V, I  
B
=−10mA/−1mA  
h
250  
250  
10  
−
MHz  
kΩ  
V
V
C
=−1mA  
Transition frequency  
f
T
E
=5mA, f=100MHz  
∗
Input resistance  
R1  
7
13  
−
∗Transition frequency of the device.  
!Package, marking, and packaging specifications  
Type  
EMA4  
EMT5  
A4  
UMA4N  
UMT5  
A4  
EMB4  
EMT6  
B4  
UMB4N  
UMT6  
B4  
UMB8N  
FMA4A  
SMT5  
A4  
IMB4A  
SMT6  
B4  
IMB8A  
SMT6  
B8  
Package  
UMT6  
B8  
Marking  
Code  
T2R  
TR  
T2R  
TN  
TR  
T148  
3000  
T110  
3000  
T108  
3000  
Basic ordering unit (pieces)  
8000  
3000  
8000  
3000  
3000  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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IMB9AT108 ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon,
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