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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.78 |
| 其他特性： | DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 56 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e3/e2 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN/TIN COPPER |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 0.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IMB5AT110 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SMT6, |
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| IMB6 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | SO |
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| IMB6A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SO |
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| IMB6AT108 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon |
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| IMB7 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | SO |
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| IMB7A | ROHM |
获取价格 |
General purpose (dual digital transistors) |
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| IMB7AT108 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, |
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| IMB7AT110 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SC-74, |
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| IMB8 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | SO |
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| IMB8A | ROHM |
获取价格 |
General purpose (dual digital transistors) |
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