是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 60 ns | JESD-30 代码: | S-CPMA-P66 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | SRAM MODULE | 内存宽度: | 32 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 66 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 128KX32 | 可输出: | YES |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 认证状态: | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | PERPENDICULAR | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7M4013S70CHB | ETC |
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x32 SRAM Module | |
IDT7M4013S85CHB | ETC |
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x32 SRAM Module | |
IDT7M4013SXXCHB | IDT |
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SRAM Module, 512KX8, CMOS, CPGA66, SIDE BRAZED, CERAMIC, HIP-66 | |
IDT7M4016S35C | IDT |
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SRAM Module, 256KX16, 35ns, CMOS | |
IDT7M4016S45CB | IDT |
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SRAM Module, 256KX16, 45ns, CMOS | |
IDT7M4016S55C | IDT |
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SRAM Module, 256KX16, 55ns, CMOS | |
IDT7M4016S55CB | IDT |
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SRAM Module, 256KX16, 55ns, CMOS | |
IDT7M4017S30C | IDT |
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SRAM Module, 64KX32, 30ns, CMOS, CDIP60 | |
IDT7M4017S35C | IDT |
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SRAM Module, 64KX32, 35ns, CMOS, CDIP60 | |
IDT7M4017S35CB | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 64KX32, 35ns, CMOS, CDIP60 |