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IDT7M4013S30NHB

更新时间: 2024-09-15 14:33:59
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 210K
描述
SRAM Module, 128KX32, 30ns, CMOS, CPMA66

IDT7M4013S30NHB 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.92
最长访问时间:30 nsJESD-30 代码:S-CPMA-P66
JESD-609代码:e0内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:SRAM MODULE内存宽度:32
功能数量:1端口数量:1
端子数量:66字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:128KX32可输出:YES
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:SQUARE
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:TIN LEAD端子形式:PIN/PEG
端子位置:PERPENDICULAR处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

IDT7M4013S30NHB 数据手册

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