Datasheet > IDT7203L30TCB

IDT7203L30TCB

更新时间： 2024-09-16 21:14:39

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		时钟先进先出芯片内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	417K
描述
FIFO, 2KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, THIN, CERAMIC, DIP-28

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IDT7203L30TCB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	0.300 INCH, SIDE BRAZED, THIN, CERAMIC, DIP-28	针数：	28
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.05
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	30 ns
其他特性：	RETRANSMIT	最大时钟频率 (fCLK)：	25 MHz
周期时间：	40 ns	JESD-30 代码：	R-CDIP-T28
JESD-609代码：	e0	内存密度：	18432 bit
内存集成电路类型：	OTHER FIFO	内存宽度：	9
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	2048 words	字数代码：	2000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	2KX9
输出特性：	3-STATE	可输出：	NO
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流：	0.004 A	子类别：	FIFOs
最大压摆率：	0.15 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT7203L30TD	IDT	获取价格	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9
IDT7203L30TDB	IDT	获取价格	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9
IDT7203L30TDG	IDT	获取价格	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO
IDT7203L30TDGB	IDT	获取价格	FIFO, 2KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, GREEN, CERDIP-28
IDT7203L30TDGI	IDT	获取价格	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO
IDT7203L30TP	IDT	获取价格	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9
IDT7203L30TPB	IDT	获取价格	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9
IDT7203L30TPG	IDT	获取价格	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO
IDT7203L30TPGB	IDT	获取价格	FIFO, 2KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, GREEN, PLASTIC, DIP-28
IDT7203L30TPGI	IDT	获取价格	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO