是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.27 |
最长访问时间: | 35 ns | 周期时间: | 45 ns |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 36.576 mm | 内存密度: | 18432 bit |
内存宽度: | 9 | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 2048 words | 字数代码: | 2000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 2KX9 | |
可输出: | NO | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.699 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 15.24 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7203L35PG | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT7203L35PGI | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT7203L35SO | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9 | |
IDT7203L35SOB | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9 | |
IDT7203L35SOG | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT7203L35TC | IDT |
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FIFO, 2KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, THIN, CERAMIC, DIP- | |
IDT7203L35TD | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9 | |
IDT7203L35TDB | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9 | |
IDT7203L35TDG | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT7203L35TDGI | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO |