是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP28,.3 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.05 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 30 ns |
其他特性: | RETRANSMIT | 最大时钟频率 (fCLK): | 25 MHz |
周期时间: | 40 ns | JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 34.671 mm |
内存密度: | 18432 bit | 内存集成电路类型: | OTHER FIFO |
内存宽度: | 9 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 2048 words |
字数代码: | 2000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 2KX9 | 可输出: | NO |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-STD-883 Class B |
座面最大高度: | 4.572 mm | 最大待机电流: | 0.025 A |
子类别: | FIFOs | 最大压摆率: | 0.15 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 7.62 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7203L30TPG | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT7203L30TPGB | IDT |
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FIFO, 2KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, GREEN, PLASTIC, DIP-28 | |
IDT7203L30TPGI | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT7203L30XEB | ETC |
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x9 Asynchronous FIFO | |
IDT7203L35D | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9 | |
IDT7203L35DB | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9 | |
IDT7203L35DG | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT7203L35DGI | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT7203L35J | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9 | |
IDT7203L35JB | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9 |