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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | 0.600 INCH, CERDIP-28 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 | 风险等级： | 5.64 |
| 最长访问时间： | 25 ns | 其他特性： | RETRANSMIT |
| 周期时间： | 35 ns | JESD-30 代码： | R-GDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 9216 bit |
| 内存集成电路类型： | OTHER FIFO | 内存宽度： | 9 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 1024 words | 字数代码： | 1000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 1KX9 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | NO |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP28,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FIFOs |
| 最大压摆率： | 0.125 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7202SA25J | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
|
| IDT7202SA25J8 | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
|
| IDT7202SA25L | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, LCC-32 |
|
| IDT7202SA25P | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
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| IDT7202SA25SO | ETC |
获取价格 |
x9 Asynchronous FIFO |
|
| IDT7202SA25SO8 | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28 |
|
| IDT7202SA25TC | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, THIN, CERAMIC, DIP- |
|
| IDT7202SA25TP | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, THIN, PLASTIC, DIP-28 |
|
| IDT7202SA25XE | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, CDFP28, CERPACK-28 |
|
| IDT7202SA25Y | ETC |
获取价格 |
x9 Asynchronous FIFO |
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