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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | QFJ |
| 包装说明： | QCCJ, | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 | 风险等级： | 5.64 |
| 最长访问时间： | 35 ns | 其他特性： | RETRANSMIT |
| 周期时间： | 45 ns | JESD-30 代码： | R-PQCC-J32 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 9216 bit |
| 内存宽度： | 9 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 1024 words | 字数代码： | 1000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 1KX9 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | NO |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QCCJ |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | J BEND | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7202SA35L | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, LCC-32 |
|
| IDT7202SA35L8 | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, LCC-32 |
|
| IDT7202SA35P | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
|
| IDT7202SA35SO | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28 |
|
| IDT7202SA35SO8 | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28 |
|
| IDT7202SA35TC | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, THIN, CERAMIC, DIP- |
|
| IDT7202SA35TP | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, THIN, PLASTIC, DIP-28 |
|
| IDT7202SA35XE | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, CDFP28, CERPACK-28 |
|
| IDT7202SA35Y | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
|
| IDT7202SA35Y8 | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
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