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IDT7202SA35L8

更新时间: 2024-11-18 17:46:39
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 先进先出芯片
页数 文件大小 规格书
13页 442K
描述
FIFO, 1KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, LCC-32

IDT7202SA35L8 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:QFJ
包装说明:QCCN,针数:32
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.64
最长访问时间:35 ns其他特性:RETRANSMIT
周期时间:45 nsJESD-30 代码:R-CQCC-N32
JESD-609代码:e0内存密度:9216 bit
内存宽度:9功能数量:1
端子数量:32字数:1024 words
字数代码:1000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1KX9输出特性:3-STATE
可输出:NO封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:QCCN封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:NO LEAD
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:20
Base Number Matches:1

IDT7202SA35L8 数据手册

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