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IDT7202SA25J8

更新时间: 2024-11-18 17:46:39
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 先进先出芯片
页数 文件大小 规格书
13页 442K
描述
FIFO, 1KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

IDT7202SA25J8 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:QFJ
包装说明:QCCJ,针数:32
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.64
最长访问时间:25 ns其他特性:RETRANSMIT
周期时间:35 nsJESD-30 代码:R-PQCC-J32
JESD-609代码:e0内存密度:9216 bit
内存宽度:9湿度敏感等级:1
功能数量:1端子数量:32
字数:1024 words字数代码:1000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1KX9
输出特性:3-STATE可输出:NO
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:QCCJ
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):225
认证状态:Not Qualified最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:J BEND端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:20Base Number Matches:1

IDT7202SA25J8 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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FIFO, 1KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, LCC-32
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FIFO, 1KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, THIN, CERAMIC, DIP-
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