是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | 0.600 INCH, CERDIP-28 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.57 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 35 ns |
其他特性: | RETRANSMIT | 周期时间: | 45 ns |
JESD-30 代码: | R-GDIP-T28 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 9216 bit | 内存集成电路类型: | OTHER FIFO |
内存宽度: | 9 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 1024 words |
字数代码: | 1000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1KX9 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | NO | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP28,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FIFOs | 最大压摆率: | 0.125 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7202SA35J | ETC |
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x9 Asynchronous FIFO | |
IDT7202SA35J8 | IDT |
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FIFO, 1KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
IDT7202SA35L | IDT |
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FIFO, 1KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, LCC-32 | |
IDT7202SA35L8 | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, LCC-32 | |
IDT7202SA35P | IDT |
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FIFO, 1KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
IDT7202SA35SO | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28 | |
IDT7202SA35SO8 | IDT |
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FIFO, 1KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28 | |
IDT7202SA35TC | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, THIN, CERAMIC, DIP- | |
IDT7202SA35TP | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, THIN, PLASTIC, DIP-28 | |
IDT7202SA35XE | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, CDFP28, CERPACK-28 |