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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | 0.600 INCH, CERDIP-28 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 | 风险等级： | 5.01 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 30 ns |
| 其他特性： | RETRANSMIT | 周期时间： | 40 ns |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T28 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 9216 bit | 内存集成电路类型： | OTHER FIFO |
| 内存宽度： | 9 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 1024 words |
| 字数代码： | 1000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 1KX9 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | NO | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP28,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B | 最大待机电流： | 0.03 A |
| 子类别： | FIFOs | 最大压摆率： | 0.14 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7202SA30LB | ETC |
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x9 Asynchronous FIFO |
|
| IDT7202SA30LB8 | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, LCC-32 |
|
| IDT7202SA30TCB | ETC |
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x9 Asynchronous FIFO |
|
| IDT7202SA30XEB | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CDFP28, CERPACK-28 |
|
| IDT7202SA35D | IDT |
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FIFO, 1KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28 |
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| IDT7202SA35J | ETC |
获取价格 |
x9 Asynchronous FIFO |
|
| IDT7202SA35J8 | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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| IDT7202SA35L | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, LCC-32 |
|
| IDT7202SA35L8 | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, LCC-32 |
|
| IDT7202SA35P | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
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