是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFJ |
包装说明: | LCC-32 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.02 |
最长访问时间: | 20 ns | 其他特性: | RETRANSMIT |
最大时钟频率 (fCLK): | 33.3 MHz | 周期时间: | 30 ns |
JESD-30 代码: | R-CQCC-N32 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 9216 bit | 内存集成电路类型: | OTHER FIFO |
内存宽度: | 9 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 1024 words |
字数代码: | 1000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 1KX9 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | NO | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | QCCN | 封装等效代码: | LCC32,.45X.55 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B | 最大待机电流: | 0.009 A |
子类别: | FIFOs | 最大压摆率: | 0.14 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7202SA20P | IDT |
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FIFO, 1KX9, 20ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
IDT7202SA20SO | IDT |
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FIFO, 1KX9, 20ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28 | |
IDT7202SA20SO8 | IDT |
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FIFO, 1KX9, 20ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28 | |
IDT7202SA20TC | ETC |
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x9 Asynchronous FIFO | |
IDT7202SA20TCB | IDT |
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暂无描述 | |
IDT7202SA20TP | IDT |
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FIFO, 1KX9, 20ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, THIN, PLASTIC, DIP-28 | |
IDT7202SA20XE | IDT |
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FIFO, 1KX9, 20ns, Asynchronous, CMOS, CDFP28, CERPACK-28 | |
IDT7202SA20Y | IDT |
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FIFO, 1KX9, 20ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 | |
IDT7202SA20Y8 | IDT |
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FIFO, 1KX9, 20ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 | |
IDT7202SA25D | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28 |