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IDT71V2577S75BG8

更新时间： 2024-09-13 14:51:27
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
23页 513K
描述
Cache SRAM, 128KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119

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IDT71V2577S75BG8 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：BGA-119
针数：119Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.4最长访问时间：7.5 ns
其他特性：FLOW-THROUGH ARCHITECTURE最大时钟频率 (fCLK)：117 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PBGA-B119
JESD-609代码：e0长度：22 mm
内存密度：4718592 bit内存集成电路类型：CACHE SRAM
内存宽度：36湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：119
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：128KX36
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：BGA封装等效代码：BGA119,7X17,50
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.36 mm最大待机电流：0.03 A
最小待机电流：3.14 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.255 mA最大供电电压 (Vsup)：3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：3.135 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式：BALL端子节距：1.27 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：14 mmBase Number Matches：1

IDT71V2577S75BG8 数据手册

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128K x 36, 256K x 18  
IDT71V2577  
IDT71V2579  
3.3V Synchronous SRAMs  
2.5V I/O, Flow-Through Outputs  
Burst Counter, Single Cycle Deselect  
Description  
Features  
◆
The IDT71V2577/79 are high-speed SRAMs organized as  
128Kx36/256Kx18.TheIDT71V2577/79SRAMs containwrite,data,  
address andcontrolregisters.Therearenoregisters inthedataoutput  
path (flow-through architecture). Internal logic allows the SRAM to  
generateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntil  
128K x 36, 256K x 18 memory configurations  
◆
Supports fast access times:  
Commercial:  
– 7.5ns up to 117MHz clock frequency  
CommercialandIndustrial:  
– 8.0ns up to 100MHz clock frequency  
– 8.5ns up to 87MHz clock frequency  
LBO input selects interleaved or linear burst mode  
Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),bytewrite  
enable (BWE), and byte writes (BWx)  
3.3V core power supply  
Power down controlled by ZZ input  
2.5V I/O  
theendofthewritecycle.  
Theburstmodefeatureoffersthehighestlevelofperformancetothe  
systemdesigner,astheIDT71V2577/79canprovidefourcyclesofdata  
fora single address presentedtothe SRAM. Aninternalburstaddress  
counteracceptsthefirstcycleaddressfromtheprocessor,initiatingthe  
accesssequence.Thefirstcycleofoutputdatawillflow-throughfromthe  
arrayafteraclock-to-dataaccesstimedelayfromtherisingclockedgeof  
the same cycle. If burst mode operation is selected (ADV=LOW), the  
subsequentthreecyclesofoutputdatawillbeavailabletotheuseronthe  
next three rising clock edges. The order of these three addresses are  
definedbytheinternalburstcounterandtheLBOinputpin.  
◆
◆
◆
◆
◆
◆
Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad  
flatpack(TQFP),119ballgridarray(BGA)and165finepitchball  
grid array (fBGA)  
The IDT71V2577/79 SRAMs utilize IDT’s latest high-performance  
CMOSprocessandarepackagedinaJEDECstandard14mmx20mm  
100-pinthinplasticquadflatpack(TQFP)aswellasa119ballgridarray  
(BGA) and a 165 fine pitch ball grid array (fBGA).  
PinDescriptionSummary  
0
17  
A -A  
Address Inputs  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Synchronous  
Synchronous  
Synchronous  
Asynchronous  
Synchronous  
Synchronous  
Synchronous  
Chip Enable  
CE  
0
1
CS , CS  
Chip Selects  
Output Enable  
OE  
Global Write Enable  
Byte Write Enable  
Individual Byte Write Selects  
GW  
BWE  
(1)  
1
2
3
4
BW , BW , BW , BW  
CLK  
ADV  
ADSC  
ADSP  
LBO  
Clock  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
I/O  
N/A  
Synchronous  
Synchronous  
Synchronous  
DC  
Burst Address Advance  
Address Status (Cache Controller)  
Address Status (Processor)  
Linear / Interleaved Burst Order  
Sleep Mode  
ZZ  
Asynchronous  
Synchronous  
N/A  
0
31  
P1  
P4  
I/O -I/O , I/O -I/O  
Data Input / Output  
DD DDQ  
V , V  
Core Power, I/O Power  
Ground  
Supply  
Supply  
SS  
V
N/A  
4877 tbl 01  
NOTE:  
1. BW3 and BW4 are not applicable for the IDT71V2579.  
OCTOBER 2000  
1
©2000ntegratedDeviceTechnology,Inc.  
DSC-4877/06  
1234567...23

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与IDT71V2577S75BG8相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT71V2577S75BGG IDT

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 		Cache SRAM, 128KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
IDT71V2577S75BGI IDT

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 		128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Sin
IDT71V2577S75BGI8 IDT

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 		Cache SRAM, 128KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119
IDT71V2577S75BQ IDT

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 		128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Sin
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 		128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Sin
IDT71V2577S75PF8 IDT

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 		Cache SRAM, 128KX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100
IDT71V2577S75PFG IDT

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 		暂无描述
IDT71V2577S75PFG8 IDT

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 		Cache SRAM, 128KX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, GREEN, PLASTIC, TQFP-100
IDT71V2577S75PFI IDT

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 		128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Sin

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