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IDT71V2577S80BG

更新时间： 2024-11-05 03:09:39

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		计数器存储内存集成电路静态存储器时钟
页数	文件大小	规格书
22页	291K
描述
128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Single Cycle Deselect

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IDT71V2577S80BG 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	BGA-119
针数：	119	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.4	最长访问时间：	8 ns
其他特性：	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B119
JESD-609代码：	e0	长度：	22 mm
内存密度：	4718592 bit	内存集成电路类型：	CACHE SRAM
内存宽度：	36	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	119
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX36
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装等效代码：	BGA119,7X17,50
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.36 mm	最大待机电流：	0.03 A
最小待机电流：	3.14 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.2 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式：	BALL	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

IDT71V2577S80BG 数据手册

IDT71V2577S

IDT71V2579S

IDT71V2577SA

IDT71V2579SA

128K x 36, 256K x 18

3.3V Synchronous SRAMs

2.5V I/O, Flow-Through Outputs

Burst Counter, Single Cycle Deselect

Description

Features

◆

The IDT71V2577/79 are high-speed SRAMs organized as

128Kx36/256Kx18.TheIDT71V2577/79SRAMs containwrite,data,

address andcontrolregisters.Therearenoregisters inthedataoutput

path (flow-through architecture). Internal logic allows the SRAM to

generateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntil

128K x 36, 256K x 18 memory configurations

◆

Supports fast access times:

Commercial:

– 7.5ns up to 117MHz clock frequency

CommercialandIndustrial:

– 8.0ns up to 100MHz clock frequency

– 8.5ns up to 87MHz clock frequency

LBO input selects interleaved or linear burst mode

Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),bytewrite

enable (BWE), and byte writes (BWx)

3.3V core power supply

Power down controlled by ZZ input

2.5V I/O

Optional - Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1

compliant)

Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad

flatpack(TQFP),119ballgridarray(BGA)and165finepitchball

grid array (fBGA)

theendofthewritecycle.

Theburstmodefeatureoffersthehighestlevelofperformancetothe

systemdesigner,astheIDT71V2577/79canprovidefourcyclesofdata

fora single address presentedtothe SRAM. Aninternalburstaddress

counteracceptsthefirstcycleaddressfromtheprocessor,initiatingthe

accesssequence.Thefirstcycleofoutputdatawillflow-throughfromthe

arrayafteraclock-to-dataaccesstimedelayfromtherisingclockedgeof

the same cycle. If burst mode operation is selected (ADV=LOW), the

subsequentthreecyclesofoutputdatawillbeavailabletotheuseronthe

next three rising clock edges. The order of these three addresses are

definedbytheinternalburstcounterandtheLBOinputpin.

◆

The IDT71V2577/79 SRAMs utilize IDT’s latest high-performance

CMOSprocessandarepackagedinaJEDECstandard14mmx20mm

100-pinthinplasticquadflatpack(TQFP)aswellasa119ballgridarray

(BGA) and a 165 fine pitch ball grid array (fBGA).

PinDescriptionSummary

A⁰-A¹⁷

Address Inputs

Input

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

Chip Enable

CS⁰, CS¹

Chip Selects

Output Enable

Global Write Enable

Byte Write Enable

Individual Byte Write Selects

BWE

(1)

BW¹, BW², BW³, BW⁴

CLK

ADV

ADSC

ADSP

LBO

Clock

Input

Output

Input

I/O

N/A

Synchronous

Burst Address Advance

Address Status (Cache Controller)

Address Status (Processor)

Linear / Interleaved Burst Order

Test Mode Select

Test Data Input

TMS

TDI

Synchronous

N/A

TCK

TDO

Test Clock

Test Data Output

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

JTAG Reset (Optional)

Sleep Mode

TRST

I/O⁰-I/O³¹, I/O^P1-I/O^P4

V^DD, V^DDQ

V^SS

Data Input / Output

Core Power, I/O Power

Ground

Supply

N/A

4877 tbl 01

NOTE:

1. BW3 and BW4 are not applicable for the IDT71V2579.

JUNE 2003

DSC-4877/08

12 3 4 5 6 7...22

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