5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IDT71V2577S80PFI8
IDT71V2577S80PFI8 PDF预览

IDT71V2577S80PFI8

更新时间： 2024-09-15 19:48:27
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
23页 513K
描述
Cache SRAM, 128KX36, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100

阅读下载

中文翻译

获取价格

IDT71V2577S80PFI8 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Not Recommended
零件包装代码：QFP包装说明：LQFP, QFP100,.63X.87
针数：100Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A991HTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.4最长访问时间：8 ns
其他特性：FLOW-THROUGH ARCHITECTURE最大时钟频率 (fCLK)：100 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PQFP-G100
JESD-609代码：e0长度：20 mm
内存密度：4718592 bit内存集成电路类型：CACHE SRAM
内存宽度：36湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：100
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX36
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LQFP封装等效代码：QFP100,.63X.87
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.6 mm最大待机电流：0.035 A
最小待机电流：3.14 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.21 mA最大供电电压 (Vsup)：3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：3.135 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：20
宽度：14 mmBase Number Matches：1

IDT71V2577S80PFI8 数据手册

 浏览型号IDT71V2577S80PFI8的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IDT71V2577S80PFI8的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IDT71V2577S80PFI8的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IDT71V2577S80PFI8的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IDT71V2577S80PFI8的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IDT71V2577S80PFI8的Datasheet PDF文件第7页 
128K x 36, 256K x 18  
IDT71V2577  
IDT71V2579  
3.3V Synchronous SRAMs  
2.5V I/O, Flow-Through Outputs  
Burst Counter, Single Cycle Deselect  
Description  
Features  
◆
The IDT71V2577/79 are high-speed SRAMs organized as  
128Kx36/256Kx18.TheIDT71V2577/79SRAMs containwrite,data,  
address andcontrolregisters.Therearenoregisters inthedataoutput  
path (flow-through architecture). Internal logic allows the SRAM to  
generateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntil  
128K x 36, 256K x 18 memory configurations  
◆
Supports fast access times:  
Commercial:  
– 7.5ns up to 117MHz clock frequency  
CommercialandIndustrial:  
– 8.0ns up to 100MHz clock frequency  
– 8.5ns up to 87MHz clock frequency  
LBO input selects interleaved or linear burst mode  
Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),bytewrite  
enable (BWE), and byte writes (BWx)  
3.3V core power supply  
Power down controlled by ZZ input  
2.5V I/O  
theendofthewritecycle.  
Theburstmodefeatureoffersthehighestlevelofperformancetothe  
systemdesigner,astheIDT71V2577/79canprovidefourcyclesofdata  
fora single address presentedtothe SRAM. Aninternalburstaddress  
counteracceptsthefirstcycleaddressfromtheprocessor,initiatingthe  
accesssequence.Thefirstcycleofoutputdatawillflow-throughfromthe  
arrayafteraclock-to-dataaccesstimedelayfromtherisingclockedgeof  
the same cycle. If burst mode operation is selected (ADV=LOW), the  
subsequentthreecyclesofoutputdatawillbeavailabletotheuseronthe  
next three rising clock edges. The order of these three addresses are  
definedbytheinternalburstcounterandtheLBOinputpin.  
◆
◆
◆
◆
◆
◆
Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad  
flatpack(TQFP),119ballgridarray(BGA)and165finepitchball  
grid array (fBGA)  
The IDT71V2577/79 SRAMs utilize IDT’s latest high-performance  
CMOSprocessandarepackagedinaJEDECstandard14mmx20mm  
100-pinthinplasticquadflatpack(TQFP)aswellasa119ballgridarray  
(BGA) and a 165 fine pitch ball grid array (fBGA).  
PinDescriptionSummary  
0
17  
A -A  
Address Inputs  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Synchronous  
Synchronous  
Synchronous  
Asynchronous  
Synchronous  
Synchronous  
Synchronous  
Chip Enable  
CE  
0
1
CS , CS  
Chip Selects  
Output Enable  
OE  
Global Write Enable  
Byte Write Enable  
Individual Byte Write Selects  
GW  
BWE  
(1)  
1
2
3
4
BW , BW , BW , BW  
CLK  
ADV  
ADSC  
ADSP  
LBO  
Clock  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
I/O  
N/A  
Synchronous  
Synchronous  
Synchronous  
DC  
Burst Address Advance  
Address Status (Cache Controller)  
Address Status (Processor)  
Linear / Interleaved Burst Order  
Sleep Mode  
ZZ  
Asynchronous  
Synchronous  
N/A  
0
31  
P1  
P4  
I/O -I/O , I/O -I/O  
Data Input / Output  
DD DDQ  
V , V  
Core Power, I/O Power  
Ground  
Supply  
Supply  
SS  
V
N/A  
4877 tbl 01  
NOTE:  
1. BW3 and BW4 are not applicable for the IDT71V2579.  
OCTOBER 2000  
1
©2000ntegratedDeviceTechnology,Inc.  
DSC-4877/06  
1234567...23

中文翻译

下载PDF

与IDT71V2577S80PFI8相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT71V2577S80PFI9 IDT

获取价格

 		Cache SRAM, 128KX36, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100
IDT71V2577S85BG IDT

获取价格

 		128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Sin
IDT71V2577S85BG8 IDT

获取价格

 		Cache SRAM, 128KX36, 8.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
IDT71V2577S85BGGI IDT

获取价格

 		Cache SRAM, 128KX36, 8.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
IDT71V2577S85BGI IDT

获取价格

 		128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Sin
IDT71V2577S85BGI8 IDT

获取价格

 		Cache SRAM, 128KX36, 8.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
IDT71V2577S85BQ IDT

获取价格

 		128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Sin
IDT71V2577S85BQG IDT

获取价格

 		Cache SRAM, 128KX36, 8.5ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165
IDT71V2577S85BQGI IDT

获取价格

 		Cache SRAM, 128KX36, 8.5ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165
IDT71V2577S85BQI IDT

获取价格

 		128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Sin

与IDT71V2577S80PFI8相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证