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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOJ | 包装说明： | SOJ, |
| 针数： | 28 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.8 | 最长访问时间： | 10 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-J28 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 17.9324 mm | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | CACHE SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 32KX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOJ |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 3.556 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 7.5184 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| CY7C1399B-10VC | CYPRESS |
功能相似  |
32K x 8 3.3V Static RAM |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT71V256SA10YI8 | IDT |
获取价格 |
Cache SRAM, 32KX8, 10ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 |
|
| IDT71V256SA12PZ | IDT |
获取价格 |
LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) |
|
| IDT71V256SA12PZG8 | IDT |
获取价格 |
Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit) |
|
| IDT71V256SA12PZGI | IDT |
获取价格 |
Cache SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, TSOP1-28 |
|
| IDT71V256SA12PZGI8 | IDT |
获取价格 |
Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit) |
|
| IDT71V256SA12PZI | IDT |
获取价格 |
Cache SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, TSOP1-28 |
|
| IDT71V256SA12TP | IDT |
获取价格 |
LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) |
|
| IDT71V256SA12Y | IDT |
获取价格 |
LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) |
|
| IDT71V256SA12Y8 | IDT |
获取价格 |
Cache SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 |
|
| IDT71V256SA12YG | IDT |
获取价格 |
Cache SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 |
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