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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.31 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 20 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-PQFP-G100 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 147456 bit | 内存集成电路类型： | MULTI-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 18 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 100 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 8KX18 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QFP | 封装等效代码： | QFP100,.63SQ,20 |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLATPACK |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.015 A | 最小待机电流： | 3 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.225 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT70V35TS25GGI | ETC |
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HIGH-SPEED 3.3V |
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| IDT70V35TS25JGI | ETC |
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HIGH-SPEED 3.3V |
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| IDT70V35TS25PFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX18, 25ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, TQ |
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| IDT70V35TS35GGI | ETC |
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HIGH-SPEED 3.3V |
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| IDT70V35TS35JGI | ETC |
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HIGH-SPEED 3.3V |
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| IDT70V35TS55GGI | ETC |
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HIGH-SPEED 3.3V |
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| IDT70V35TS55JGI | ETC |
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HIGH-SPEED 3.3V |
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| IDT70V35TSGGI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 8/4K x 18 DUAL-PORT 8/4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT70V37L | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 18 DUAL- STATIC RAM |
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| IDT70V37L15PF | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 32K x 18 DUAL- STATIC RAM |
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