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IDT70V35S20PFI8 PDF预览

IDT70V35S20PFI8

更新时间： 2024-10-28 14:33:59
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
25页 380K
描述
Multi-Port SRAM, 8KX18, 20ns, CMOS, PQFP100

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IDT70V35S20PFI8 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.31Is Samacsys：N
最长访问时间：20 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：S-PQFP-G100JESD-609代码：e0
内存密度：147456 bit内存集成电路类型：MULTI-PORT SRAM
内存宽度：18湿度敏感等级：3
端口数量：2端子数量：100
字数：8192 words字数代码：8000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：8KX18
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：QFP封装等效代码：QFP100,.63SQ,20
封装形状：SQUARE封装形式：FLATPACK
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.015 A最小待机电流：3 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.225 mA
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：20Base Number Matches：1

IDT70V35S20PFI8 数据手册

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HIGH-SPEED 3.3V  
8/4K x 18 DUAL-PORT  
8/4K x 16 DUAL-PORT  
STATIC RAM  
IDT70V35/34S/L  
IDT70V25/24S/L  
◆
Features  
Separate upper-byte and lower-byte control for multiplexed  
bus compatibility  
IDT70V35/34 (IDT70V25/24) easily expands data bus width  
to 36 bits (32 bits) or more using the Master/Slave select  
when cascading more than one device  
M/S = VIH for BUSY output flag on Master  
M/S = VIL for BUSY input on Slave  
BUSY and Interrupt Flag  
On-chip port arbitration logic  
Full on-chip hardware support of semaphore signaling  
between ports  
Fully asynchronous operation from either port  
LVTTL-compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply  
Available in a 100-pin TQFP (IDT70V35/24) & (IDT70V25/24),  
86-pin PGA (IDT70V25/24) and 84-pin PLCC (IDT70V25/24)  
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is available  
for selected speeds  
◆
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous  
◆
◆
reads of the same memory location  
High-speed access  
◆
IDT70V35/34  
– Commercial:15/20/25ns (max.)  
– Industrial:20ns  
◆
◆
◆
IDT70V25/24  
– Commercial:15/20/25/35/55ns(max.)  
– Industrial:20/25ns  
Low-power operation  
◆
◆
◆
◆
– IDT70V35/34S  
– IDT70V35/34L  
Active: 430mW (typ.)  
Standby: 3.3mW (typ.)  
Active: 415mW (typ.)  
Standby: 660µW (typ.)  
◆
– IDT70V25/24S  
–
IDT70V25/24L  
Active: 400mW (typ.)  
Standby: 3.3mW (typ.)  
Active: 380mW (typ.)  
Standby: 660µW (typ.)  
Functional Block Diagram  
R/W  
L
R/W  
R
R
UBL  
UB  
LB  
CE  
OE  
R
LB  
CE  
OE  
L
R
R
L
L
,
(5)  
(5)  
I/O9R-I/O17R  
I/O9L-I/O17L  
I/O  
Control  
I/O  
Control  
(4)  
(4)  
I/O0R-I/O8R  
I/O0L-I/O8L  
(2,3)  
L
(2,3)  
BUSY  
R
BUSY  
(1)  
12R  
(1)  
12L  
A
A
Address  
Decoder  
MEMORY  
ARRAY  
Address  
Decoder  
A0L  
A
0R  
13  
13  
ARBITRATION  
INTERRUPT  
SEMAPHORE  
LOGIC  
CE  
OE  
R/W  
R
CE  
OE  
L
L
R
R
R/W  
L
SEM  
R
SEM  
INTL  
L
(3)  
(3)  
INTR  
M/S  
5624 drw 01  
NOTES:  
1. A12 is a NC for IDT70V34 and for IDT70V24.  
2. (MASTER): BUSY is output; (SLAVE): BUSY is input.  
3. BUSY outputs and INT outputs are non-tri-stated push-pull.  
4. I/O0x - I/O7x for IDT70V25/24.  
5. I/O8x - I/O15x for IDT70V25/24.  
OCTOBER 2004  
1
DSC-5624/5  
©2004IntegratedDeviceTechnology,Inc.  
1234567...25

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与IDT70V35S20PFI8相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT70V35S25PF8 IDT

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 		Dual-Port SRAM, 8KX18, 25ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
IDT70V35S25PF9 IDT

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 		Dual-Port SRAM, 8KX18, 25ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
IDT70V35S25PFG IDT

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 		Dual-Port SRAM, 8KX18, 25ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, TQ
IDT70V35S25PFGI IDT

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 		Dual-Port SRAM, 8KX18, 25ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
IDT70V35TL15GGI ETC

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 		HIGH-SPEED 3.3V
IDT70V35TL15JGI ETC

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 		HIGH-SPEED 3.3V
IDT70V35TL15PF8 IDT

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 		Multi-Port SRAM, 8KX18, 15ns, CMOS, PQFP100
IDT70V35TL15PFG IDT

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 		Dual-Port SRAM, 8KX18, 15ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, TQ
IDT70V35TL20GGI ETC

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 		HIGH-SPEED 3.3V
IDT70V35TL20JGI ETC

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