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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | QFP |
| 包装说明： | 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 | 针数： | 100 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.24 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 20 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | S-PQFP-G100 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 14 mm |
| 内存密度： | 147456 bit | 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 18 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 100 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 8KX18 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LFQFP |
| 封装等效代码： | QFP100,.63SQ,20 | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.6 mm |
| 最大待机电流： | 0.005 A | 最小待机电流： | 3 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.195 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 宽度： | 14 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT70V35TL20PFI8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 8KX18, 20ns, CMOS, PQFP100 |
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| IDT70V35TL25GGI | ETC |
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HIGH-SPEED 3.3V |
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| IDT70V35TL25JGI | ETC |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V |
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| IDT70V35TL25PF | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 8KX18, 25ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 |
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| IDT70V35TL25PF8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 8KX18, 25ns, CMOS, PQFP100 |
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| IDT70V35TL25PFG | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 8KX18, 25ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, TQ |
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| IDT70V35TL35GGI | ETC |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V |
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| IDT70V35TL35JGI | ETC |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V |
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| IDT70V35TL55GGI | ETC |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V |
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| IDT70V35TL55JGI | ETC |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V |
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