5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.45 | 最长访问时间： | 25 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | S-PQFP-G100 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 147456 bit |
| 内存集成电路类型： | MULTI-PORT SRAM | 内存宽度： | 18 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 100 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 8KX18 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QFP |
| 封装等效代码： | QFP100,.63SQ,20 | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLATPACK | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.0025 A |
| 最小待机电流： | 3 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.165 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT70V35TL25PFG | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 8KX18, 25ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, TQ |
|
| IDT70V35TL35GGI | ETC |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V |
|
| IDT70V35TL35JGI | ETC |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V |
|
| IDT70V35TL55GGI | ETC |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V |
|
| IDT70V35TL55JGI | ETC |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V |
|
| IDT70V35TS15GGI | ETC |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V |
|
| IDT70V35TS15JGI | ETC |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V |
|
| IDT70V35TS15PFG | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 8KX18, 15ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, TQ |
|
| IDT70V35TS20GGI | ETC |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V |
|
| IDT70V35TS20JGI | ETC |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
