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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | QFP |
| 包装说明： | LFQFP, | 针数： | 100 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.25 |
| 最长访问时间： | 25 ns | JESD-30 代码： | S-PQFP-G100 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 14 mm |
| 内存密度： | 147456 bit | 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 18 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 100 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 8KX18 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LFQFP |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.6 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 14 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT70V35TL15GGI | ETC |
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HIGH-SPEED 3.3V |
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| IDT70V35TL15JGI | ETC |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V |
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| IDT70V35TL15PF8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 8KX18, 15ns, CMOS, PQFP100 |
|
| IDT70V35TL15PFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX18, 15ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, TQ |
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| IDT70V35TL20GGI | ETC |
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HIGH-SPEED 3.3V |
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| IDT70V35TL20JGI | ETC |
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HIGH-SPEED 3.3V |
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| IDT70V35TL20PF | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX18, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 |
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| IDT70V35TL20PF8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 8KX18, 20ns, CMOS, PQFP100 |
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| IDT70V35TL20PFG | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 8KX18, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, TQ |
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| IDT70V35TL20PFGI | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 8KX18, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, TQ |
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