是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, TQFP-100 | 针数: | 100 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.24 |
最长访问时间: | 20 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-PQFP-G100 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 14 mm | 内存密度: | 147456 bit |
内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度: | 18 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 100 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 8KX18 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LFQFP | 封装等效代码: | QFP100,.63SQ,20 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.6 mm | 最大待机电流: | 0.005 A |
最小待机电流: | 3 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.195 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT70V35TL20PFI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX18, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 | |
IDT70V35TL20PFI8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 8KX18, 20ns, CMOS, PQFP100 | |
IDT70V35TL25GGI | ETC |
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HIGH-SPEED 3.3V | |
IDT70V35TL25JGI | ETC |
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HIGH-SPEED 3.3V | |
IDT70V35TL25PF | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX18, 25ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 | |
IDT70V35TL25PF8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 8KX18, 25ns, CMOS, PQFP100 | |
IDT70V35TL25PFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX18, 25ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, TQ | |
IDT70V35TL35GGI | ETC |
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HIGH-SPEED 3.3V | |
IDT70V35TL35JGI | ETC |
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HIGH-SPEED 3.3V | |
IDT70V35TL55GGI | ETC |
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HIGH-SPEED 3.3V |