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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | LCC |
| 包装说明： | PLASTIC, LCC-68 | 针数： | 68 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.64 |
| 最长访问时间： | 25 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-PQCC-J68 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 24.2062 mm | 内存密度： | 36864 bit |
| 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度： | 9 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 68 |
| 字数： | 4096 words | 字数代码： | 4000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 4KX9 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QCCJ | 封装等效代码： | LDCC68,1.0SQ |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | MIL-PRF-38535 | 座面最大高度： | 4.57 mm |
| 最大待机电流： | 0.02 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.29 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 24.2062 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT70914S25JBG | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 4KX9, 25ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 |
|
| IDT70914S25JI | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 36K (4K X 9) SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM |
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| IDT70914S25P | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 36K (4K X 9) SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM |
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| IDT70914S25PB | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 36K (4K X 9) SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM |
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| IDT70914S25PF | ETC |
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x9 Dual-Port SRAM |
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| IDT70914S25PF8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 4KX9, 25ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80 |
|
| IDT70914S25PF9 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 4KX9, 25ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80 |
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| IDT70914S25PFB | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 4KX9, 25ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80 |
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| IDT70914S25PFG | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 4KX9, 25ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80 |
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| IDT70914S25PFG8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 4KX9, 25ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80 |
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