是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | TQFP-80 | 针数: | 80 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.75 |
最长访问时间: | 25 ns | 其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN |
JESD-30 代码: | S-PQFP-G80 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 14 mm | 内存密度: | 36864 bit |
内存集成电路类型: | MULTI-PORT SRAM | 内存宽度: | 9 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 80 |
字数: | 4096 words | 字数代码: | 4000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 4KX9 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LQFP |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.6 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT70914S25PFG8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 4KX9, 25ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80 | |
IDT70914S25PFGI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 4KX9, 25ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80 | |
IDT70914S25PFI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 4KX9, 25ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80 | |
IDT70914S25PI | IDT |
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HIGH SPEED 36K (4K X 9) SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM | |
IDT709159L6BF | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX9, 15ns, CMOS, PBGA100, 10 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FPBG | |
IDT709159L6PF | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX9, 15ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 | |
IDT709159L6PFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX9, 15ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 | |
IDT709159L7BFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX9, 18ns, CMOS, PBGA100, 10 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FPBG | |
IDT709159L7BFI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX9, 18ns, CMOS, PBGA100, 10 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FPBG | |
IDT709159L7PF | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 8KX9, 18ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 |