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IDT709169L7BFI

更新时间： 2024-11-05 14:51:23
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 290K
描述
Dual-Port SRAM, 16KX9, 18ns, CMOS, PBGA100, 10 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FPBGA-100

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IDT709169L7BFI 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：10 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FPBGA-100
针数：100Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.92Is Samacsys：N
最长访问时间：18 ns其他特性：PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)：83 MHzI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：S-PBGA-B100JESD-609代码：e0
长度：10 mm内存密度：147456 bit
内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM内存宽度：9
湿度敏感等级：3功能数量：1
端口数量：2端子数量：100
字数：16384 words字数代码：16000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：16KX9
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LFBGA封装等效代码：BGA100,10X10,32
封装形状：SQUARE封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：225
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.5 mm最大待机电流：0.003 A
最小待机电流：4.5 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.44 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：10 mmBase Number Matches：1

IDT709169L7BFI 数据手册

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HIGH-SPEED 16/8K x 9  
IDT709169/59L  
SYNCHRONOUS PIPELINED  
DUAL-PORT STATIC RAM  
Features  
◆
◆
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous  
access of the same memory location  
High-speed clock to data access  
– Commercial:6.5/7.5/9ns(max.)  
Industrial: 7.5ns (max.)  
Full synchronous operation on both ports  
– 3.5ns setup to clock and 0ns hold on all control, data, and  
address inputs  
– Data input, address, and control registers  
– Fast 6.5ns clock to data out in the Pipelined output mode  
– Self-timed write allows fast cycle time  
◆
◆
Low-power operation  
– IDT709169/59L  
– 10ns cycle time,100MHz operation in Pipelined output mode  
TTL- compatible, single 5V (±10%) power supply  
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is  
available for 83MHz  
Available in a 100-pin Thin Quad Flatpack (TQFP) and 100-  
pin fine pitch Ball Grid Array (fpBGA) packages.  
◆
◆
Active:925mW(typ.)  
Standby: 2.5mW (typ.)  
◆
Flow-Through or Pipelined output mode on either Port via  
the FT/PIPE pins  
Counter enable and reset features  
Dual chip enables allow for depth expansion without  
additional logic  
◆
◆
◆
Functional Block Diagram  
R/WR  
R/W  
L
OEL  
OER  
CE0R  
CE1R  
CE0L  
CE1L  
1
0
0/1  
1
0
0/1  
0
0
1
1
0/1  
0/1  
FT/PIPE  
L
FT/PIPE  
R
I/O0R - I/O8R  
I/O0L - I/O8L  
I/O  
Control  
I/O  
Control  
(1)  
(1)  
13R  
A13L  
A
Counter/  
Address  
Reg.  
Counter/  
Address  
Reg.  
MEMORY  
ARRAY  
A
C0LRK  
R
R
A
0L  
CLK  
L
L
ADS  
CNTEN  
CNTRST  
ADS  
CNTEN  
CNTRST  
R
L
R
L
5653 drw 01  
NOTE:  
1. A13 is a NC for IDT709159.  
AUGUST 2003  
1
DSC-5653/2  
©2003IntegratedDeviceTechnology,Inc.  
1234567...16

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT709169L7PF IDT

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 		Dual-Port SRAM, 16KX9, 18ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
IDT709169L7PFI IDT

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