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IDT7050L35G

更新时间: 2024-10-28 20:28:19
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 510K
描述
Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CPGA108

IDT7050L35G 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:35 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:S-XPGA-P108JESD-609代码:e0
内存密度:8192 bit内存集成电路类型:MULTI-PORT SRAM
内存宽度:8端口数量:4
端子数量:108字数:1024 words
字数代码:1000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:PGA
封装等效代码:PGA108,12X12封装形状:SQUARE
封装形式:GRID ARRAY并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.0006 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.29 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:PIN/PEG端子节距:2.54 mm
端子位置:PERPENDICULAR处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

IDT7050L35G 数据手册

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