Datasheet > IDT7050S35GB

IDT7050S35GB

更新时间： 2024-11-28 20:32:55

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	247K
描述
Four-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CPGA108, CAVITY-UP, HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-108

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IDT7050S35GB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	PGA	包装说明：	CAVITY-UP, HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-108
针数：	108	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.91	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	35 ns	其他特性：	BATTERY BACKUP OPERATION
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-CPGA-P108
JESD-609代码：	e0	长度：	30.48 mm
内存密度：	8192 bit	内存集成电路类型：	FOUR-PORT SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	4	端子数量：	108
字数：	1024 words	字数代码：	1000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	1KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	PGA	封装等效代码：	PGA108,12X12
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	座面最大高度：	5.207 mm
最大待机电流：	0.03 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.395 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	PIN/PEG
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	30.48 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT7050S35PF	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, PQFP132
IDT7050S35PG	IDT	获取价格	Four-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, PPGA108, PLASTIC, PGA-108
IDT7050S45EB	IDT	获取价格	Four-Port SRAM, 1KX8, 45ns, CQFP132, QFP-132
IDT7050S45G	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 45ns, CMOS, CPGA108
IDT7050S45GB	IDT	获取价格	Four-Port SRAM, 1KX8, 45ns, CMOS, CPGA108, CAVITY-UP, HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-108
IDT7050S45PF	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 45ns, CMOS, PQFP132
IDT7052	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 2K x 8 FourPort STATIC RAM
IDT7052L	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 2K x 8 FourPort STATIC RAM
IDT7052L15PF	ETC	获取价格	Quad-Port SRAM
IDT7052L15PF8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 15ns, CMOS, PQFP120, TQFP-120