是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | LFQFP, QFP120,.63SQ,16 | 针数: | 120 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.21 |
最长访问时间: | 20 ns | 其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | S-PQFP-G120 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 14 mm |
内存密度: | 16384 bit | 内存集成电路类型: | FOUR-PORT SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 4 |
端子数量: | 120 | 字数: | 2048 words |
字数代码: | 2000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 2KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LFQFP |
封装等效代码: | QFP120,.63SQ,16 | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.6 mm |
最大待机电流: | 0.0006 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.25 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.4 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7052L20PFG8 | IDT |
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Four-Port SRAM, 2KX8, 20ns, CMOS, PQFP120, PLASTIC, TQFP-120 | |
IDT7052L20PQF | ETC |
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Quad-Port SRAM | |
IDT7052L20PQF9 | IDT |
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Four-Port SRAM, 2KX8, 20ns, CMOS, PQFP132, 0.950 X 0.950 INCH, 0.140 INCH HEIGHT, PLASTIC, | |
IDT7052L20PQFG | IDT |
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Four-Port SRAM, 2KX8, 20ns, CMOS, PQFP132, 0.950 X 0.950 INCH, 0.140 INCH HEIGHT, GREEN, P | |
IDT7052L25G | IDT |
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Four-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, CPGA108, 1.210 X 1.210 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, PGA-108 | |
IDT7052L25GB | ETC |
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Quad-Port SRAM | |
IDT7052L25GGB | IDT |
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Four-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, CPGA108, 1.210 X 1.210 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, GREEN, C | |
IDT7052L25GM | IDT |
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Application Specific SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, CPGA108 | |
IDT7052L25PF | ETC |
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Quad-Port SRAM | |
IDT7052L25PF8 | IDT |
获取价格 |
Four-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQFP120, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-120 |