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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | QFN |
| 包装说明： | QCCJ, | 针数： | 132 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.7 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 30 ns |
| 其他特性： | AUTOMATIC POWER-DOWN | JESD-30 代码： | S-GQCC-J132 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | MULTI-PORT SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 4 |
| 端子数量： | 132 | 字数： | 2048 words |
| 字数代码： | 2000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 2KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | QCCJ | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 认证状态： | Not Qualified |
| 最小待机电流： | 2 V | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | J BEND | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7052L30QEB | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, CQCC132, CERQUAD-132 |
|
| IDT7052L30QEBG | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, CQCC132, CERQUAD-132 |
|
| IDT7052L35GB | ETC |
获取价格 |
Quad-Port SRAM |
|
| IDT7052L35GGM | IDT |
获取价格 |
Application Specific SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CPGA108 |
|
| IDT7052L35PF | ETC |
获取价格 |
Quad-Port SRAM |
|
| IDT7052L35PF8 | IDT |
获取价格 |
Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-120 |
|
| IDT7052L35PF9 | IDT |
获取价格 |
Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-120 |
|
| IDT7052L35PFB | IDT |
获取价格 |
Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-120 |
|
| IDT7052L35PFGB | IDT |
获取价格 |
Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, TQF |
|
| IDT7052L35PFM | IDT |
获取价格 |
Application Specific SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120 |
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