是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | PGA |
包装说明: | PGA, | 针数: | 108 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.26 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 30 ns |
其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN | JESD-30 代码: | S-CPGA-P108 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 30.48 mm |
内存密度: | 16384 bit | 内存集成电路类型: | MULTI-PORT SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 4 | 端子数量: | 108 |
字数: | 2048 words | 字数代码: | 2000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 2KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | PGA |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.207 mm |
最小待机电流: | 2 V | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | PIN/PEG | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | PERPENDICULAR | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 30.48 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7052L30PF | IDT |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, PQFP132, PLASTIC, QFP-132 | |
IDT7052L30PG | IDT |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, PPGA108 | |
IDT7052L30QE | IDT |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, CQCC132, CERQUAD-132 | |
IDT7052L30QEB | IDT |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, CQCC132, CERQUAD-132 | |
IDT7052L30QEBG | IDT |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, CQCC132, CERQUAD-132 | |
IDT7052L35GB | ETC |
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Quad-Port SRAM | |
IDT7052L35GGM | IDT |
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Application Specific SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CPGA108 | |
IDT7052L35PF | ETC |
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Quad-Port SRAM | |
IDT7052L35PF8 | IDT |
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Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-120 | |
IDT7052L35PF9 | IDT |
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Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-120 |